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초록
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본 논문에서는 cascode 구조에 shunt peaking 기술을 접목시킨 밀리미터파 광대역 단일 종단 증폭기와 tandem 결합기를 이용한 밀리미터파 광대역 평형 증폭기를 설계 및 제작하였다. 증폭기 제작을 위하여 0.1 ${\mu}m\;{\Gamma}-gate$ GaAs PHEMT가 사용되었다. 제작된 단일 종단 증폭기는 37 GHz($18.5{\sim}55.5$ GHz)의 3 dB 대역폭과 47 GHz에서 9.38 dB의 최대 $S_{21}$ 이득 특성을 얻을 수 있었다. 밀리미터파 대역용 광대역 평형 증폭기 제작을 위해 사용된 tandem 결합기는 $30{\sim}60$ GHz에서 평균 3.5 dB의 결합 계수 및 -23 dB 이하의 반사 손실을 얻을 수 있었다. 제작된 평형 증폭기는 44.5 GHz($21{\sim}65.5$ GHz)의 3 dB 대역폭을 얻었으며, 최대 $S_{21}$ 이득은 60 GHz에서 10.4 dB의 값을 얻을 수 있었다. Tandem 결합기를 이용한 평형 증폭기는 shunt peaking 기술을 이용한 단일 종단 증폭기에 비해 20% 증가된 3 dB 대역폭을 보였으며, 더 낮은 입력 및 출력 반사 손실을 얻을 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We report broadband cascode amplifiers of a single-ended and a balanced amplifier for the millimeter-wave applications. The amplifiers were fabricated using 0.1 ${\mu}m\;{\Gamma}-gate$ PHEMT technology on GaAs substrate. The single-ended cascode amplifier was designed and fabricated by us...

주제어

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문제 정의

  • 본 논문에서는 cascode 구조에 광대역 특성을 얻기위하여 shunt peaking 기술을 이용한 증폭기와 tandem 결합기를 이용한 평형 증폭기를 제작하였다. Shunt peaking 기술을 이용한 cascode 증폭기는 37 GHz의 3 dB 대역폭을 얻을 수 있었다.
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참고문헌 (8)

  1. B. Kane, S. Weinreb, E. Fischer, and N. Byer, 'High-sensitivity W-band MMIC radiometer modules,' IEEE Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symp. Dig., pp. 59-62, May 1995 

  2. B. H. Lee, D. An, M. K. Lee, B. O. Lim, S. D. Kim, and J. K. Rhee, 'Two-stage broadband high gain W-band amplifier using 0.1-um metamorphic HEMT technology,' IEEE Electron Device Letters, Vol. 25, pp. 766-768, Dec. 2004 

  3. Sedra/Smith, Microelectronic Circuits, 4th ed. Oxford 

  4. Thomas H. Lee, THE DESING OF CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits, Cambridge University Press 

  5. Guillermo Gonzalez, Microwave Transistor Amplifiers, 2nd ed. Prentice Hall 

  6. 문성운,한 민,백태종, 김삼동, 이진구, 'Tandem 구조를 이용한 V-band CPW 3-dB 방향성 결합기,' 전자공학회 논문지 제 42권 TC펀,제 7호,479-486쪽,2005년 7월 

  7. B. H. Lee, D. An, M. K. Lee, B. O. Lim, S. D. Kim, and J. K. Rhee, 'Two-stage broadband high-gain W-band amplifier using 0.1um metamorphic HEMT technology,' IEEE, Electron Device Letters, vol. 25, pp, 766-768, 2004 

  8. D. An, B. H. Lee, B. O. Lim, M. K. Lee, S. C. Kim, J. H. Oh, S. D. Kim, H. M. Park, D. H. Shin, and J. K. Rhee, 'High switching performance $\mu m$ metamorphic HEMTs for low conversion loss 94-GHz resistive mixers,' IEEE, Electron Device Letters, vol. 26, pp. 707-700, 2005 

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