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Kafe 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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보고서유형 | 연차보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-01 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201600002823 |
과제고유번호 | 1711026449 |
사업명 | 한국전자통신연구원 연구개발지원 |
DB 구축일자 | 2016-06-11 |
키워드 | 마이크로파.밀리미터파.GaN.SiC.SSPA.HEMT.AlGaN/GaN.MMIC.IMFET. |
Ⅰ-2 해당 연도 추진 실적
1. 마이크로파대역 기지국용 RF 핵심부품 개발
1.1. 0.25 μm D-mode GaN HEMT 전력소자 구조 설계 및 제작
(1) 0.25 μm D-mode GaN HEMT 전력소자 구조 설계
o 그림 1-1-1은 SiC 기판을 사용하는 0.25 ㎛ D-mode GaN HEMT 전력소자의 에피탁셜 구조를 나타낸 것이다. 본 연구에서 사용한 GaN AlGaN/GaN 에피탁셜 구조는 4H-SiC 기판에 MOCVD (metal organic chemical vapor depositi
Ⅰ-2 해당 연도 추진 실적
1. 마이크로파대역 기지국용 RF 핵심부품 개발
1.1. 0.25 μm D-mode GaN HEMT 전력소자 구조 설계 및 제작
(1) 0.25 μm D-mode GaN HEMT 전력소자 구조 설계
o 그림 1-1-1은 SiC 기판을 사용하는 0.25 ㎛ D-mode GaN HEMT 전력소자의 에피탁셜 구조를 나타낸 것이다. 본 연구에서 사용한 GaN AlGaN/GaN 에피탁셜 구조는 4H-SiC 기판에 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)방식으로 AlN nucleation 층, Fe-doped GaN buffer층, undoped AlGaN Schottky 층을 성장시켜 AlGaN과 GaN의 이종접합에 의해 2차원 전자가스층(2-DEG)을 형성하는 AlGaN/GaN HEMT 소자 에피탁셜 구조를 설계하였음.
o 0.25um D-mode GaN HEMT 전력소자의 에피탁셜 구조에서 측정한 sheet resistance 값은 400 Ω/□ 이었음임.
과제명(ProjectTitle) : | - |
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연구책임자(Manager) : | - |
과제기간(DetailSeriesProject) : | - |
총연구비 (DetailSeriesProject) : | - |
키워드(keyword) : | - |
과제수행기간(LeadAgency) : | - |
연구목표(Goal) : | - |
연구내용(Abstract) : | - |
기대효과(Effect) : | - |
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