최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 = The Proceedings of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.19 no.5 = no.69, 2008년, pp.56 - 66
김삼동 (동국대학교 전자공학과) , 박현창 (동국대학교 전자공학과) , 이진구 (동국대학교 전자공학과) , 오정훈 (동국대학교 전자공학과)
초록이 없습니다.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
Frank Schwierz, Juin J. Loiu, MoDern Microwave Transistors - Theory, Design, and Performance, Wiley
Kai Chang, Inder Bahl, and Vijay Nair, RF and Microwave Circuit and Component Design for Wireless Systems, Wiley
B. O. Kim, M. K. Lee, T. J. Baek, M. Han, S. C. Kim, and J. K. Rhee, "50-nm T-Gate InAlAs/InGaAs metamorphic HEMT with low noise and high fT characteristics", IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 7, p. 546
B. H. Lee, D. An, M. K. Lee, B. O. Lim, J. H. Oh, S. D. Kim, and J. K. Rhee, "Low conversion loss and high Lo-RF isolation 94-GHz active down converter", IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., vol. 54, no. 6, p. 2422
D. An, B. H. Lee, B. O. Lim, M. K. Lee, S. C. Kim, J. H. Oh, S. D. Kim, H. M. Park, D. H. Shin, and J. K. Rhee, "High switching performance $0.1-{\mu}m$ metamorphic HEMTs for low conversion loss 94- GHz resistive mixer", IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 10, p. 707
M. K. Lee, B. O. Lim, S J. Lee, D. S. Ko, S. W. Moon, D. An, Y H. Kim, S. D. Kim, H. C. Park, and J. K. Rhee, "A novel 94-GHz MHEMET-based diode mixer using a 3-dB tandem coupler", IEEE Microwave and Wireless Components Lett., vol. 18, no. 9, p. 626
B. H. Lee, D. An, M. K., B. O. Lim, S. D. Kim, and J. K. Rhee, "Two-state broadband high-gain W-Band amplifier using 0.1 ${\mu}m$ metamorphic HEMT technology", IEEE Electron Device Lett., vol. 25, no. 12, p. 766
J. H. Ohm, M. Han, S. J. Lee, B. C. Jun, S. W. Moon, J. S. Lee, J. K. Rhee, and S. D. Kim, "Effects of multi-gate-feeding structure on gate resistance and RF characteristics of $0.1 {\mu}m$ metamorphic high-electron- mobility transistors", IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Submitted
J. H. Oh, M. Han, S. W. Moon, S. Lee, and I. S. Hwang, "Dual gate-recess structure of metamorphic high electron mobility transistors for enhancing fmax", Journal of the Electrochemical Society, Accepted
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.