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NTIS 바로가기韓國軍事科學技術學會誌 = Journal of the KIMST, v.12 no.4, 2009년, pp.446 - 451
장동필 (한국전자통신연구원) , 노윤섭 (한국전자통신연구원) , 이정원 (엘아이지 넥스원) , 안기범 (한국전자통신연구원) , 엄만석 (한국전자통신연구원) , 염인복 (한국전자통신연구원) , 나형기 (엘아이지 넥스원) , 안창수 (국방과학연구소) , 김선주 (국방과학연구소)
In this paper, we described the design and test results of a high output power amplifier MMIC developed by using 0.5um power pHEMT processes on a 6-inch GaAs wafer for the X-band T/R module application. In the MMIC design, we have used a simple on-chip gate active bias technology to compensate the t...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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0.5um Power pHEMT 공정이란 무엇을 이용한 공정인가? | 본 X-대역 고출력증폭기 개발을 위하여 사용된 공정은 WIN Semiconductors사의 0.5um Power pHEMT 공정으로서 100um 두께의 GaAs 기판을 이용한 공정이다. 이 공정의 단위 전류 이득 주파수(ft, Transition Frequency)는 33GHz이며, 게이트-드레인 파괴전압(BVGD)는 22V 정도이다. | |
고출력증폭기용 8F200 pHEMT 소자의 단위 게이트 폭은? | 고출력증폭기용 8F200 pHEMT 소자는 8개의 게이트 핑거를 가지고 있으며, 단위 게이트의 폭은 200um이며, 따라서 총 게이트 폭은 1.6mm인 상당히 큰 증폭소자이다. | |
0.5um Power pHEMT 공정의 단위전류 이득 주파수는? | 5um Power pHEMT 공정으로서 100um 두께의 GaAs 기판을 이용한 공정이다. 이 공정의 단위 전류 이득 주파수(ft, Transition Frequency)는 33GHz이며, 게이트-드레인 파괴전압(BVGD)는 22V 정도이다. 또한 이 공정의 고출력증폭기용 pHEMT 소자 중에서 X-band 주파수 대역에서 사용 가능한 8F200 소자는 10GHz에서 800 mW/mm 이상의 전력 밀도와 35%의 PAE 특성을 갖는 것으로 알려져 있다. |
Wolfgang Bosch, James G. E. Mayock, Matthew F. O'eefe, Jason McMonagle, 'Low Cost X-band Power Amplifier MMIC', IEEE A&E Systems Magazine, pp. 21-25, 2006. 3
A. P. de Hek, G. van der Bent, M. van Wanum, F. E. van Vliet, 'A Cost-Effective 10Watt X-band High PowerAmplifier and 1 Watt Driver Amplifier Chip- Set', EGAAS 2005, pp. 37-40, 2005. 10
A. P. de Hek, E. B. Busking, 'On-chip Active Gate Bias Circuit for MMIC Amplifier Applications with 100% Threshold Voltage Variation Compensation', EuMA 2006, pp. 525-528, 2006. 9
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