최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.45 no.4 = no.370, 2008년, pp.131 - 136
허상무 (경희대학교 전자정보대학) , 이종욱 (경희대학교 전자정보대학)
Two Ka-band 3-stage power amplifiers were designed and fabricated using
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
P. Smulders, "Exploiting the 60 GHz band for local wireless multimedia access: prospects and future directions," IEEE Communication Magazine, Jan. 2002, pp. 140-147
Federal Communications Commission FCC 02-04, Section 15.515
S.-Y. Wu, "A 32nm CMOS Low Power SoC Platform Technology for Foundry Applications with Functional High Density SRAM," Int. Electron Dev. Meeting (IEDM), pp. 263-266, 2007
M. C. A. M. Koolen, J. A. M. Geelen, and M. P. J. G. Versleijen, "An improved de-embedding technique for on-wafer high-frequency characterization," Proc. IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Sep. 1991, pp. 188191
F. Ellinger, "60-GHz SOI CMOS traveling-wave amplifier with NF below 3.8-dB from 0.1 to 40 GHz" IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 40, no. 2, 2005, pp. 553-558
A. Vasylyev, P. Weger, and W. Simburger, "Ultra-broadband 20.5-31 GHz monolithically integrated CMOS power amplifier" Electron. Lett., vol. 41, no. 23, 2005, pp. 1281-1282
H. Shigematsu, T. Hirose, F. Brewer, and M. Rodwell, "Millimeter-Wave CMOS Circuit Design" IEEE Tran. Microwave Theory Tech., vol. 53, no. 2, Feb. 2005
A. Komijani, A. Natarajan, and A. Hajimiri, "A 24-GHz, +14.5-dBm Fully Integrated Power Amplifier in 0.18- $\mu\textrm{m}$ CMOS" IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 40, no. 9, Sept. 2005
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.