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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.5, 2008년, pp.458 - 462
오수영 (성균관대학교 정보통신공학부) , 김응권 (성균관대학교 정보통신공학부) , 이태용 (성균관대학교 정보통신공학부) , 강현일 (성균관대학교 정보통신공학부) , 유현규 (성균관대학교 정보통신공학부) , 송준태 (성균관대학교 정보통신공학부)
In this paper, we investigated the (002) preferred orientation and morphology characteristics of AlN thin film by using reactive rf sputtering. Additionally, AlN thin films grown in the range from 150 to 300 W were studied under room temperature without substrate heating and post annealing. Sputtere...
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