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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.8, 2008년, pp.695 - 698
김관수 (광운대학교 전자재료공학과) , 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)
We investigated the characteristics of Strained-Si-on-Insulator (sSOI) MOSFETs with 0.7% tensile strain. The sSOI MOSFETs have superior subthreshold swing under 70 mV/dec and output current. Especially, the electron and hole were increased in sSOI MOSFET. The electron and hole mobility in sSOI MOSFE...
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S. Tagaki, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Nakaharai, T. Numata, J. Koga, and K. Uchida, 'Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels', Solid-State Electronics, Vol. 49, p. 684, 2005
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