최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국지질자원연구원 Korea Institute of Geoscience and Mineral Resources |
---|---|
연구책임자 | 우형주 |
참여연구자 | 최한우 , 음철헌 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2008-05 |
과제시작연도 | 2007 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800006197 |
과제고유번호 | 1355051839 |
사업명 | 양성자기반공학기술개발 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 이온절단.양성자 주입.헬륨 주입.기판직접접합.ion-cut.proton implantation.helium implantation.wafer direct bonding.GaAs-on-insulator.GaN-on-insulator.Si-on-insulator. |
o 현재 마이크로전자-광전자 복합소자화 및 소자들의 고주파-고전력화 추세에 따라 다양한 화합물반도체(GaAs, SiGe, GaN, SiC, InP 등) 복합(hybdrid) 웨이퍼의 수요가 급증할 것으로 예상되는 바, 당 연구를 통해 이온절단(ion-cut) 공정을 이용한 웨이퍼 규모의 화합물반도체 (GaAs 및 GaN) 박막 전이공정을 개발하고자 함.
1. Development of GOI wafers fabrication technique with ion-cut process
o GaAS 박막전이의 경우, 고온 양성자 주입법(Abstract
o study on the defect and blistering characteristics by proton implantation
o survey of the wafer cleaning and the GaAs/Si direct bonding process
o GOI wafer fabrication by proton implantation at high temperature or by
목차 Contents
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.