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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.18 no.10, 2008년, pp.521 - 528
박정훈 (부산대학교 전자공학학부) , 손필국 (부산대학교 전자공학학부) , 김기범 (부산대학교 물리학부) , 박혁규 (부산대학교 물리학부)
We present the structural, optical, and electrical properties of amorphous silicon suboxide (a-
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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비정질 산화규소 박막을 제작하는 방법에는 어떤 것이 있는가? | 특히 응용분야가 집적화 기술과 관련 되어 영상표시분야와 전자부품분야로 집중되며 비정질SiOx 박막에 대한 연구가 활발하게 이루어 지고 있다.1,2) 비정질 산화규소 박막을 제작하는 방법으로는 metal-organic chemical-vapor deposition,3) plasma-enhanced chemical vapor deposition,4) sol-gel,5) pulsed laser deposition,6) 스퍼터링(sputtering),7,8,9) ion implantation10,11)과 같은 방법이 주로 사용되었다. 그 중에서도 마그네트론 스퍼터링 방법은 단순하면서도 여러가지 변수를 쉽게 제어할 수 있어 고품질의a-SiOx 박막을 제조할 수 있다는 장점이 있다. | |
비정질 산화규소는 어떤 한계가 있어 박막화를 통한 연구개발이 활발하고 이루어지고 있는가? | 비정질 산화규소(a-SiOx)는 소결성이 매우 낮아서 벌크 상태로는 고밀도 제조가 어렵고, 다공성 상태로 존재하여 응용의 한계가 있어서 박막화를 통한 연구개발이 활발하게 이루어지고 있다. 특히 응용분야가 집적화 기술과 관련 되어 영상표시분야와 전자부품분야로 집중되며 비정질SiOx 박막에 대한 연구가 활발하게 이루어 지고 있다. | |
RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 액정 영상표시장치에 액정 배향막으로 사용되는 ITO가 증착된 유리기판위에 후막 SiOx의 증착온도와 증착거리별 성장특성을 조사하여 어떤 결과를 얻었는가? | RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 액정 영상표시장치에 액정 배향막으로 사용되는 ITO가 증착된 유리기판위에 후막 SiOx의 증착온도와 증착거리별 성장특성을 조사하였다. X선 회절법을 통하여 ITO위에 성장된 절연 막이 비정질 형태로 잘 성장되었음을 확인하였다. 증착 온도가 증가할수록 박막의 성장속도가 선형적으로 감소 하는 것을 확인할 수 있었다. SiOx박막 성장에서 타켓과 시료간의 거리와 증착온도가 낮을수록 박막의 속도가 증가함을 알수가 있었다. X선 분광법에 분석한 조성비는 증착거리가 8 cm인 경우 증착온도가 증가할수록 조성비는 1.52에서 1.34로 감소하는 경향을 보였다. 그러나 증착거리 d = 10 cm인 경우에는 150°C를 기준으로 조성비가 변화하였다. 증착온도가 30°C에서 150°C로 증가함에 따라서 조성비 x는 1.63에서 1.54까지 감소하였다. 증착 온도 200도, 300도에서 성장된 SiOx박막의 경우에는 오히려 x값이 1.54에서 1.64로 증가하였다. SiOx박막은 조성비 x가 0에 가까울 수록 가시광선 영역에서 불투명한 광학적 성질을 보인다. 전기적, 광학적 특성변화는 박막의 조성비 변화와 동일한 경향을 보였다. 박막의 표면 거칠기는 온도가 증가할수록 감소하는 경향을 보였는데 이것은 박막의 성장률 감소 경향과 동일 하였다. Nematic 액정을 이용하여 액정 셀을 제작 하였을 때 조성비 x값이 1.6보다 작은 경우에는 액정분자들이 a-SiOx박막위에서 수직배향을 보였으며 x값이 1.6보다 큰 경우에는 수평배향을 보였다. 일반적으로 X선 회절, 원자현미경 등의 복잡한 측정을 이용하지 않고 가시광선 영역에서 투과율 값의 변화를 통하여 액정 영상표시 장치의 특성을 간접적으로 측정할 수 있음을 확인하였다. |
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