선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
문제 정의
- 본 논문에서는 자외선을 음각의 사진 이미지 필름을 롱과하여 유기발광재료 및 유기재료에 조사함에 유기발광재료의 PL 양자효율 및 전기전도 특성을 국부적으로 조절하고, 이를 이용하여 OLED 소자에서 사진 이미지를 구현하였다.
제안 방법
- 증착된 유리 기판을 이용하였다. ITO 기판을 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 및 로 세정한 후 photolithography 공정에 의해 ITO 양극 패턴을 형성하고 ITO 표면을 산소 플라즈마로 처리하였다. 유기재료 및 음극 증착을 위해 열증착 방식의 진공증착기에 ITO 양극 기판을 장착한 후정공 수송층 (Hole Transport Layer)으로 두께 4, 4'-bis(N-( 1 -naphtyl)-N-phenyl-amino]biphenyl (clNPD)를 증착하였다.
- ITO 기판을 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 및 로 세정한 후 photolithography 공정에 의해 ITO 양극 패턴을 형성하고 ITO 표면을 산소 플라즈마로 처리하였다. 유기재료 및 음극 증착을 위해 열증착 방식의 진공증착기에 ITO 양극 기판을 장착한 후정공 수송층 (Hole Transport Layer)으로 두께 4, 4'-bis(N-( 1 -naphtyl)-N-phenyl-amino]biphenyl (clNPD)를 증착하였다. 발광층 (Emission Layer) 으로 두께 35 nm의 bis(2-methyl-8-quinolinato- Nl, O8)-(l, r-biphenyl-4-olato)aluminum (BAlq) 호스트에 적색 인광 도판트로 8 % 의 bis[2- (2, -benzothienyl)-pyridinato-N, C3]iridium(acetylac etonate) (Btplr(acac))를 도핑하였다.
- 유기재료 및 음극 증착을 위해 열증착 방식의 진공증착기에 ITO 양극 기판을 장착한 후정공 수송층 (Hole Transport Layer)으로 두께 4, 4'-bis(N-( 1 -naphtyl)-N-phenyl-amino]biphenyl (clNPD)를 증착하였다. 발광층 (Emission Layer) 으로 두께 35 nm의 bis(2-methyl-8-quinolinato- Nl, O8)-(l, r-biphenyl-4-olato)aluminum (BAlq) 호스트에 적색 인광 도판트로 8 % 의 bis[2- (2, -benzothienyl)-pyridinato-N, C3]iridium(acetylac etonate) (Btplr(acac))를 도핑하였다. 이후 정공 저지층 (Hole Blocking Layer)인 BAlq를 두께 5 run로 증착한 후 전자 수송층 (Electron Transport Layer) 으로 10 nm 의 bis(10-hydroxyben-zo[h] quinolinato)beryllium (BebqG을 증착하고, 전자 주입 층 (Electron Injection Layer)으로 0.
- 제작된 OLED 소자는 350 W, 365 nm의 자외선을 유리 기판 쪽으로 조사하여 유기물이 자외선을 흡수하도록 하였다. 또한 OLED의 사진 이미지 구현을 위하여 음각 패턴이 새겨진 마스크 필름을 자외선 램프와 OLED 소자 사이에 놓아, 자외선 이음각 필름을 거쳐 OLED에 조사되도록 하였다.
- 하였다. 또한 OLED의 사진 이미지 구현을 위하여 음각 패턴이 새겨진 마스크 필름을 자외선 램프와 OLED 소자 사이에 놓아, 자외선 이음각 필름을 거쳐 OLED에 조사되도록 하였다. 자외선 조사에 의한 OLED의 전류-전압-휘도 특성 변화, PL 및 EL (Electroluminescence) 특성 변화를 측정하였다.
- 또한 OLED의 사진 이미지 구현을 위하여 음각 패턴이 새겨진 마스크 필름을 자외선 램프와 OLED 소자 사이에 놓아, 자외선 이음각 필름을 거쳐 OLED에 조사되도록 하였다. 자외선 조사에 의한 OLED의 전류-전압-휘도 특성 변화, PL 및 EL (Electroluminescence) 특성 변화를 측정하였다. 소자의 전류-전압 특성은 Keithley 2400 source/meter< 이용하였으며, 휘도 및 EL 특성은보정된 photodiode 및 CS1000 spectroradiometer< 이용하여 측정하였다.
- 자외선 조사에 의한 OLED의 전류-전압-휘도 특성 변화, PL 및 EL (Electroluminescence) 특성 변화를 측정하였다. 소자의 전류-전압 특성은 Keithley 2400 source/meter< 이용하였으며, 휘도 및 EL 특성은보정된 photodiode 및 CS1000 spectroradiometer< 이용하여 측정하였다.
- 그림 1. 자외선 조사를 위해 제작된 OLED 구조.
- 따라서 그림의 43) nm PL 피크는 a -N职D에서의 발광으로 인한 것이며 610 nm PL 피크는 Btplr(acac)에 의한 것임을 알 수 있다. PL 을 측정하기 위해 약한 강도의 자외선을 유리 기판 쪽으로 조사하였으며 유리 기판에 가까운 a -NPD가 자외선을 많이 흡수하여 PL 피크가 강하게 나왔다. 500 W의 강한 자외선을 OLED 소자에 조사하면 그림에서와 같이 a-NPD 및 Btplr(acac) PL 피크가 감소하는 것을 볼 수 있으며 이는 강한 자외선에 의해 유기물의 PL 양자 효율이 감소하기 때문이다.
- 본 연구에서는 OLED 소자를 구성하고 있는 유기물에 자외선을 조사하면 유기물의 전기 및 발광 특성이 변하는 것을 이용하여 OLED 소자의 사진 이미지를 구현하였다. 365 nm 파장의 자외선을 OLED 소자의 유리기판 쪽으로 조사하면 OLED 소자의 EL 강도가 감소하게 되며 자외선의 조사 강도가 크면 감소 속도가 빨라지게 된다.
- 365 nm 파장의 자외선을 OLED 소자의 유리기판 쪽으로 조사하면 OLED 소자의 EL 강도가 감소하게 되며 자외선의 조사 강도가 크면 감소 속도가 빨라지게 된다. 따라서 음각의 이미지가 프린트되어 있는 필름을 통과하여 자외선을 조사함에 의해 OLED에 조사되는 자외선을 강도를 조절하고, 이를 이용하여 OLED 소자의 사진 이미지를 구현하였다.
대상 데이터
- 있다!丄2L OLED를 디스플레이로 응용할경우 양극 및 음극 버스선이 교차되는 부분이 화소가 되는 PMOLED (Passive Matrix Organic L施ht Emitting Diode) 및 데이터 선과 스캔 선이교차되는 부분의 TFT (Thin Film Transistcr)에 OLED 가 연결되는 AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diode)의 형태로 제작된다. 이러한 매트릭스 형태의 디스플레이는 시간에따라 화면이 바뀌는 동적인 디스플레이의 .
- OLED 소자의 제작을 위하여 면저항 10 Q/□의 ITO가 증착된 유리 기판을 이용하였다. ITO 기판을 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 및 로 세정한 후 photolithography 공정에 의해 ITO 양극 패턴을 형성하고 ITO 표면을 산소 플라즈마로 처리하였다.
- 5 nm의 LiF 를 증착한 후 A1 음극을 증착하여 OLED를 완성하였다. 적색 OLED 소자와 더불어 백색 OLED 소자 또한 제작하였으며, 백색 OLED는 발광 호스트로 4, 4, -bis(2f2, -diphenylvinyl)~l, r-diphenyl (DPVBi) 및 황색 게스트로 1 %의 rubrene을 사용하였다. 그림 1에 제작된 OLED 소자의 단면 구조를 표시하였다.
- 스펙트럼 변화를 나타낸 것이다. 소자구조는 ITO/a-NPD/BAlq:BtpIr(acac)/BAlq/Bebq2 /LiF/Al 이었으며, 자외선의 강도는 300 W 였다. 소자는 452 nm 파장에서 강한 PL 강도를 나타내었으며 약 610 nm의 파장에서 약한 PL 강도를 나타내었다.
성능/효과
- 것이다. 30 W의 자외선을 조사한 경우 EL 강도는 조사 시간에 따라 천천히 감소하는 반면, 350 W의 자외선을 조사한 경우 EL 강도는 빨리 감소하였다. 따라서 자외선의 조사 강도를 변화시키면 OLED 소자의 EL 강도를 변화시킬 수 있다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.