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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.17 no.5, 2008년, pp.461 - 465
황욱중 (나노종합팹센터 정보전자부품소재기술혁신센터) , 강일석 (나노종합팹센터 정보전자부품소재기술혁신센터) , 김영수 (나노종합팹센터) , 양준모 (나노종합팹센터 정보전자부품소재기술혁신센터) , 안치원 (나노종합팹센터 정보전자부품소재기술혁신센터) , 홍순구 (충남대학교 재료공학과)
The phase transformation in a film influences its surrounding. Effects of the precrystallization method, which removes influences on gate oxide caused by lateral crystallization, in metal-induced unilaterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistor devices and circuits were studied...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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금속 유도 일측면 결정화에 의해 제작된 소자는 일반적인 후 결정화 소자에 비해 어떤 특성을 보였는가? | 결정화가 게이트 절연층에 주는 영향이 제거된 선결정화법(precrystallization)이 금속 유도 일측면 결정화(metal-induced unilateral crystallization)에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자 및 회로의 전기적 특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 이 방법으로 만들어진 소자는 일반적인 후 결정화(postcrystallization) 소자에 비하여 높은 전류 구동력을 보였다. 여기에 본 연구는 DC bias에 의한 ring oscillator의 특성 변화를 연구하였다. | |
금속 유도 일측면 결정화법은 어떤 기술인가? | 유리 기판 위에 대면적으로 다결정 실리콘을 만드는 여러 방법[1-2] 중 금속 유도 일측면 결정화법(metal-induced unilateral crystallization, MIUC)은 가능성 높은 한 방법이다[3]. MIUC란 금속과 실리콘이 반응하여 형성된 금속 실리사이드가 촉매로써 결정화 온도를 낮추고 한쪽 측면으로부터 이동하면서 결정화가 진행되는 현상으로, 기존 양측 결정화가 지닌 단점, 즉 양쪽에서부터 결정화가 진행되 어온 경계(crystal growth joint) 결함을 채널 밖으로 제거 하는 기술이다. | |
현재까지 알려진 MIUC 메커니즘 모델은 어떠한가? | 현재까지 알려진 MIUC 메커니즘 모델은 미시적으로 측면 결정화가 이루어지는 동안 결합의 파괴와 생성, 인장(tensile)과 압축(compressive) 변형(strain)이 반복해서 일어남을 보여 준다[4]. 이러한 일련의 변화들은 게이트 형성 후 측면 결정화와 도펀트 활성화(dopant activation)를 동시에 하는(후결정화, postcrystallization) 일반적인 TFT(이하 post-TFT)의 게이트 절연층 또는 게이트 절연 층과 실리콘 활성층(active layer) 사이의 계면에 영향을 줄 것이다. |
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