선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
문제 정의
- 또한, 삼성종합기술원과 건국대학교 연구진들은 지속적인 연구 개발을 통하여 고집 적화, 고속 동작, 전 력 소모 등 주요 특성에 있어서 ReRAM이 여타 비휘발성 메모리를 능가할 가능성이 충분함을 확인함으로써 세 계 유수 반도체 업체들의 적극적 연구 참여를 이끌어 내고 있다. [5, 6], 이러한 노력의 결과, ReRAMe PRAM의 주요 경쟁자로 확실히 자리매김함과 동시에 전자재료, 소재 물리, 소자물리 등 관련 학계로부터도 큰 관심의 대상으로 부상하게 되었다 [7-9], 본 논문에서는 ReRAM의 주요 특성과분류 그리고 집적화 소자 구조를 살펴봄으로써 관련 연구의 현황을 개략적으로 살펴보고자 한다.
가설 설정
- 저항이 높은 상태 (OFF에 해당)에서 낮은 상태 (ON에 해당)로 또, 반대로 변화하는 과정의 전류-전압 특성의 모식도. 저항 스위칭을 일으키기 위한 인가 전압의 극성 조건에 따라 (a) Unipolar와 (b) Bipolar 저항스위칭으로 구분된다. CC (Compliance Current)는 절연체의 Breakdown을 막기 위해 설정하는 최대 허용 전류 치를 뜻한다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.