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저진공 축전결합형 SF6, SF6/O2, SF6/CH4 플라즈마를 이용한 아크릴의 반응성 건식 식각
Capacitively Coupled SF6, SF6/O2, SF6/CH4 Plasma Etching of Acrylic at Low Vacuum Pressure 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.19 no.2, 2009년, pp.68 - 72  

박연현 (인제대학교 나노공학부) ,  주영우 (인제대학교 나노공학부) ,  김재권 (인제대학교 나노공학부) ,  노호섭 (인제대학교 나노공학부) ,  이제원 (인제대학교 나노공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This study investigated dry etching of acrylic in capacitively coupled $SF_6$, $SF_6/O_2$ and $SF_6/CH_4$ plasma under a low vacuum pressure. The process pressure was 100 mTorr and the total gas flow rate was fixed at 10 sccm. The process variables were the RIE chuck...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  • SF6, SF6/O2, SF6/CH4 가스와 기계적 펌프에 기초한 저진공 축전 결합형 유도결합 플라즈마를 사용하여 아크릴의 건식 식각을 실험하고 그 결과를 분석하였다. 그 결과를 살펴보면 첫째, SF6/O2의 혼합 플라즈마가 순수한 SF6나 O2 플라즈마보다 아크릴의 식각 속도를 높였다.
  • 식각 실험에서 감광제에 대한 식각 선택비를 얻기 위해 먼저 식각 실험 전에 미세 패턴 두께의 초기 값을 측정하고, 플라즈마 식각을 5분 한 후에 다시 미세 패턴의 총 두께를 측정하였다. 그 후 감광제를 제거한 후에 다시 측정해서 계산을 통하여 식각 선택비를 구하였다.
  • 6 cm2로 자른 후 스핀 코터 (Spin Coater)를 사용하여 그 위에 감광제(AZ GXR601(46CP))를 3 µm의 두께로 도포하였다. 그 후 컨택 얼라이너(Contact Aligner)를 사용하여 자외선 조사 후 현상액으로 처리하여 감광제의 미세 패턴을 형성하였다. 패턴 된 샘플을 1.
  • 불소를 포함한 가스는 CF4, CHF3 등도 있지만 인체에 상대적으로 안정한 SF6 가스를 사용하였다. 또한 식각 선택비를 비교하기 위하여 SF6가스에 CH4 가스를 혼합하여 추가 실험을 진행하고 그 결과를 비교 분석 하였다.12-13)
  • 샘플의 미세 패턴 두께 및 플라즈마 식각 두께는 표면 단차 측정기(Tencor alpha step IQ)를 이용하였다. 또한 아크릴의 플라즈마 식각 전후의 표면 거칠기 값도 표면 단차 측정기의 표면 거칠기 프로그램을 이용하여 측정하였다. 식각된 패턴 및 표면의 형상은 주사전자현미경 (Scanning Electron Microscopy)을 사용하여 분석하였다.
  • 또한 가지 중요한 것은 플라즈마 식각 중에서도 어떤 식각 시스템을 이용하는가 하는 것이다. 본 연구에서는 향후 산업과 연구에서 널리 사용될 수 있는 저진공 축전 결합형 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma) 시스템을 사용해서 식각을 하였다. 식각용 시스템은 축전형 플라즈마 시스템 이외에도 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있는 유도결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 시스템과 전자 사이클로트론 공진(Electron Cyclotron Resonance) 시스템 그리고 트라이오드(Triode) 시스템 등이 있지만, 이러한 시스템들은 수 십 미리토르 이하의 고진공 공정 압력을 사용하여야 제대로 된 효과를 얻을 수 있다.
  • 샘플의 미세 패턴 두께 및 플라즈마 식각 두께는 표면 단차 측정기(Tencor alpha step IQ)를 이용하였다. 또한 아크릴의 플라즈마 식각 전후의 표면 거칠기 값도 표면 단차 측정기의 표면 거칠기 프로그램을 이용하여 측정하였다.
  • 8 cm2로 조각내어 실제 실험에 사용하였다. 식각 실험에서 감광제에 대한 식각 선택비를 얻기 위해 먼저 식각 실험 전에 미세 패턴 두께의 초기 값을 측정하고, 플라즈마 식각을 5분 한 후에 다시 미세 패턴의 총 두께를 측정하였다. 그 후 감광제를 제거한 후에 다시 측정해서 계산을 통하여 식각 선택비를 구하였다.
  • 또한 아크릴의 플라즈마 식각 전후의 표면 거칠기 값도 표면 단차 측정기의 표면 거칠기 프로그램을 이용하여 측정하였다. 식각된 패턴 및 표면의 형상은 주사전자현미경 (Scanning Electron Microscopy)을 사용하여 분석하였다.
  • 아크릴 샘플의 크기는 3.6 × 3.6 cm2로 자른 후 스핀 코터 (Spin Coater)를 사용하여 그 위에 감광제(AZ GXR601(46CP))를 3 µm의 두께로 도포하였다.
  • 기계적 펌프만을 사용하였을 때, 가스를 공급하지 않은 상태에서의 최저 진공 압력은 약 30 mTorr이었다. 진공 압력은 열전대 진공 게이지와 바라트론 게이지(Baratron Gauge)를 사용하여 측정하였다. 공정압력은 100 mTorr 이었다.

대상 데이터

  • 본 연구에 사용한 시스템은 축전 결합형 플라즈마 시스템이다. Fig.
  • 본 연구에서는 불소성분을 포함한 SF6 가스와 고분자를 식각하는데 효과적인 O2 가스를 각각 개별적으로 또는 혼합하여 사용하였다. 불소를 포함한 가스는 CF4, CHF3 등도 있지만 인체에 상대적으로 안정한 SF6 가스를 사용하였다.
  • 가스를 각각 개별적으로 또는 혼합하여 사용하였다. 불소를 포함한 가스는 CF4, CHF3 등도 있지만 인체에 상대적으로 안정한 SF6 가스를 사용하였다. 또한 식각 선택비를 비교하기 위하여 SF6가스에 CH4 가스를 혼합하여 추가 실험을 진행하고 그 결과를 비교 분석 하였다.
  • 아크릴 샘플은 두께 1 mm의 소재를 준비하였다. 아크릴 샘플의 크기는 3.
  • 패턴 된 샘플을 1.8 × 1.8 cm2로 조각내어 실제 실험에 사용하였다.
  • 1은 본 연구에 사용한 시스템의 개요도이다. 플라즈마 반응기에 사용한 RF(Radio Frequency) 파워는 영신 플라즈마의 13.56 ㎒ 600 W용 공냉식 전원공급기와 매칭 네트워크를 사용하였다. 샘플 지지대는 직경 150 mm의 크기였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
축전 결합형 플라즈마 시스템의 특징은? 식각용 시스템은 축전형 플라즈마 시스템 이외에도 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수있는 유도결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 시스템과 전자 사이클로트론 공진(Electron Cyclotron Resonance) 시스템 그리고 트라이오드(Triode) 시스템 등이 있지만, 이러한 시스템들은 수 십 미리토르 이하의 고진공 공정 압력을 사용하여야 제대로 된 효과를 얻을 수 있다. 그러나 축전 결합형 플라즈마 시스템은 30-300 mTorr의 비교적 높은 가스 압력 또는 저진공 에서도 쉽게 플라즈마를 발생시키며 사용에 용이하여 향후 고분자의 건식 식각에서 널리 이용할 것으로 생각한다.10-11)
고분자 소재는 어떤 것으로 사용할 수 있는가? 고분자 소재는 향후 전자 소재, MEMS 소재 및 의료용 바이오 칩 등으로 사용할 수 있다. 특히 초소형 소자 제작을 위해 고분자 박막의 증착 및 식각 기술을 이용하여 미세 패턴을 만드는 것은 중요한 기술이다.
아크릴의 습식 식각을 위해 어떤 것들을 생각해야하는가? 먼저 아크릴의 습식 식각을 위해서는 다음의 문제들을 생각해 보아야한다. 첫째, 아크릴을 습식 식각할 수 있는 적절한 용액을 찾아야 한다. 둘째, 습식 식각에 견디는 마스크로 사용할 수 있는 적절한 소재를 개발해야 한다. 아크릴의 식각용 용액으로는 NaCl 등이 시도되고 있다.
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참고문헌 (13)

  1. T. James, M. Mannoor and D. Ivanov, Sensors, 8, 6077 (2008) 

  2. H. Fujikakea, H. Satoa and T. Murashige, Displays, 25, 3 (2004) 

  3. E. Huitema, G. Gelinck, B. Putten, E. Cantatore, E. Veenendaal, L. Schrijnemakers, B. Huisman and D. Leeuw, Organic & Nanoscale Tech., 21 (2003) 

  4. G. Ryu, M. Lee and C. Song, IMID/IDMC '06 DIGEST, 1178 (2006) 

  5. H. Becker and C. Gartner. Elctrophoresis, 21, 12 (2000) 

  6. P. B. Chinoy, Manufacturing Tech., 20, 199 (1997) 

  7. J. J. Ritter and J. Kruger, J. De Physique, 12, C10-225 (1983) 

  8. C. H. Steinbruchel, B. J. Curtis, H. W. Lehmann and R. Widmer, Tran. Plasma Sci., PS-14, 137 (1986) 

  9. B. Neppert, B. Heise and H.-G. Kilian, Colloid & Polymer Sci., 261(7), 577 (1983) 

  10. M. Sugawara, Plasma Etching, p.180, Oxford University Press, NewYork, USA, (1998) 

  11. M. A. Libermann and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges & Materials Processing, p.604, John Wiley & Sons, New Jersey, USA, (2005) 

  12. S. H. Kim, S. J. Woo, J. H. Ahn, J. Appl. Phys., 39, 7011 (2000) 

  13. R. Knizikevi ius, Sens. Actuators, A132, 726 (2006) 

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