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문제 정의
- 반대로, 플라즈마 식각 특히 실온에서 SiC의 RIE(Reactive ion etching) 공정은 식각속도 향상과 동시에 SiC 기판표면의 표면 거칠기 감소 등의 여러 가지 소자 구조 형성을 위한 현재의 에칭 요구와 잘 일치한다고 할 수 있다. 따라서, 본 연구에서는 SiC 박막의 최적 RIE 공정조건을 설명하고 표면 거칠기 개선에 따른 실제 SiC 소자로의 응용 가능성을 타진하고자 하였다.
- 최적의 조건에서 표면거칠기는 #정도로 상당히 감소하였고, 에칭속도는 #로 증가하였다. 본 논문에서는 이러한 연구결과 를 토대로 SiC MESFET 제작을 위한 메사 패턴형성 등의 단위 공정에 대하여 보고하게 될 것이다.
- 식각공정은 CHF3/O2 혼합가스 플라즈마를 이용하여 건식식각하였다. 식각공정의 중요 변수들인 챔버압력, RF 전력, 그리고 총 유량 변화에 따른 식각 특성을 분석하여 최적의 식각조건을 얻고자 하였다. 식각 특성은 금속 마스크의 선택도와 식각 전ㆍ후 SiC 기판의 두께변화에 따른 식각속도를 a-step을 통해 분석, 식각된 SiC 기판표면의 상태와 잔류물의 유무를 관찰하기 위한 SEM 분석, 그리고 식각된 SiC 기판표면의 거칠기 정도를 AFM으로 분석하였다.
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