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제안 방법
- 그래서 지난 수년간 아연 산화물 1차원 구조로 만들어서 소자화하는 연구는 많이 수행되었다. 80-95 °C의 수용액에 아연 염화물을 열수 분해 (Hydrothermal Decomposition) 방법 으로 투명 한 ITO (Indium Tin Oxide) 위 에 아연산화물 나노와이어 박막을 성장시 켰다. 그런 후에 작업 전극 (Working Electrode)을 만들기 위해서 루테늄 염료 (Ruthenium Dye)용액 속에 아연 산화물 박막을 침적시켰다.
- 그런 후에 작업 전극 (Working Electrode)을 만들기 위해서 루테늄 염료 (Ruthenium Dye)용액 속에 아연 산화물 박막을 침적시켰다. 그리고 또 다른 플라스틱 기판 위에 전자빔 코팅으로50nm 백금층을 성장시켜서 플렉시블 상대전극 (Counter Electrode)을 만들었다. 나노와이어 작업 전극과 백금 상대전극 사이의 간격이 50 伽인지를 확인하기 위해서 전극 두 개를 구부렸고 마침내 플렉시블 전지를 완성하였다.
- 그리고 또 다른 플라스틱 기판 위에 전자빔 코팅으로50nm 백금층을 성장시켜서 플렉시블 상대전극 (Counter Electrode)을 만들었다. 나노와이어 작업 전극과 백금 상대전극 사이의 간격이 50 伽인지를 확인하기 위해서 전극 두 개를 구부렸고 마침내 플렉시블 전지를 완성하였다. 이것은 장치 속에 액체 전해액을 주입할 수 있다는 것을 의미한다.
- 의해 성장되었다. 나노와이어 필름이 증착되고 이로 헹군 후, 절 연층 역 할을 하는 PS (Polystyrene) 필름으로 스핀 코팅을 통하여 감싸는 방법을 이용했다. 이 때 스핀 코팅의 조건들은 나노와이어들 사이의 공간을 완전히 채우는 한편, 나노와이어 팁에서 매우 얇은 두께로 덮이도록 하는 적절한 조건을 취하였다.
- 트랜지스터를 만들기 위해서 먼저 유리나 플라스틱 기판 위에 게이트 전극 (GateElectrode)으로서 인듐 아연산화물 (Indium-zincpxid아을 증착하고, 그 표면에 나노와이어 (Nanowire) 용액을 입혀 적절히나노와이어를 정렬시킨 후 인듐 주석 산화물 (Indium Tin Oxide)로 소스 전극 (Source Electrode) 과 드레 인 전극 (Drain Electrode)을 증착한다. 그림 2의 인듐 아연 산화물과 인듐 주석 산화물은 모두 투명하다.
대상 데이터
- 첫번째로 나노와이 어를 이용한 투명 LED 제작에 관한것이 다. 이는 폴리 머 물질 (Polymeric MatrEx)을 포함하고 있으며 플렉시블 투명 기 판에서 수직으로 성장된 ZnO 나노와이 어를 이용하였다. 단일 결정화된 (Sin이e-crystalline) 나노와이 어는 광학적으로 Active한 성분이고 폴리머 성분은 강하면서도 유연한 특징을 가지게 도와준다.
- 그림 4. 저온 나노입자를 사용한 플렉시블 염료감응형태양전지 (출처 Nikkei, http://www.nn i. nikkei.co.jp/AC/TNKS/Nni20071210D10H H985.htm [KITA '07.12.13]).
이론/모형
- A*STAR의 Chang-沖 Jiang와 연구진은 저온 수열 합 성 법 (Low-temperature Hydrothermal Method)을 사용해서 전도성 플라스틱 기판 위에 아연 산화물 나노선 어 레이를 성공적으로 제조하였다. 전통적 인 투명 전도체 인 아연산화물은 전자 이동 특성도 좋아서 아연 산화물 나노와이 어에서도 높은 전자 이동 특성을 나타내고 저 렴 하며 환경 적으로 유해하지 않는 물질로 알려 졌다.
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