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제안 방법
- GaN 기 반 MOSFET은 미 국 Rensselaer Polyte- 사血c Institute (RPI)에서 주로 연구하고 있는데 사파이어 기판위에 제작한n형/p형 GaN 에피를 이용하여 MOSFET을 제작하였다[15丄 MOS 구조의 제작을 GaN 웨이 퍼 위에 실리콘 산화막을 증착시 키고 계면 특성을 향상시키기 위해 고온 (1000 °C)열처리 공정을 거 쳤다. 제작한 소자의 전자이동도는 167 cm2/Vs 로 HEMT에 비 해 매우 낮았다.
- 미국 Florida University에서 Bulk GaN 웨이퍼를 사용한 수직형 Schottky 장벽 다이오드를 제작하고 발표하였다 [13], GaN Bulk 웨이 퍼는 사파이어 기판 위에 250 fan 두께의 GaN 에피층을 성장시키고 레이저를 이용하여 사파이어를 떼어내는 방법을 이용하였다. Bulk GaN 웨이퍼의 전면에는 Schottky 컨택, 후면에는。hmic 컨택을 형성하여 수직 형 GaN 다이오드를 제작하였고 p+ Doping을 이용한 접합 마감 구조를 사용하여 항복 전압의 크기를 증가시 켰다. 그림 9와 10은 제작한 수직형 GaN Schottky 장벽 다이오드의 단면도 및 사진이 다.
- 표 1. 다양한 반도체 물질의 특성 비교.
대상 데이터
- 도시바에서 발표한 Normally-off HEMT는 30 nm 두께의 AlGaN 층을 약 20 nm 식 각하고 그 위에 Schottky 컨택을 형성하여 Reress 게이트 구조를 제작하였다. 제작한 소자는 문턱 전압을 4 V에서 -0.
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