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성능/효과
- Fig. 8에서 세부기술 동향을 연도 구간별로 보면 초기에 설비제작기술이 약 55 %로 가장 많은 비율을 차지하다가 현재 8%로 가장 적은 비율을 가지고 있으며, 반대로 단결정 성장기술은 초기에 9%로 가장 적은 비율을 가지다가 현재 64 %로 가장 많은 비율을 차지하고 있다. 이를 통해 국내에서 GaN 기판 제작설비기술은 개선단계에 있고 단결정 성장기술 부분으로 관심이 집중되며 최근에는 기판을 분리할 수 있는 기술에 대한 관심이 나타나기 시작하는 것을 확인할 수 있다.
- 1은 Si, SiC, GaN의 전력반도체 특성을 비교한 것으로 GaN의 경우 Si에 비해 전반적으로 월등한 특성을 보이며, 이는 Si 반도체 기반 전력반도체의 물성적한계를 극복하여 대체될 수 있음을 의미한다. 또한, 고온 동작, 고전압에서 유사한 특성을 가지는 SiC와 비교하였을 땐 방열 특성 부분에서는 SiC의 특성이 우수하지만고주파, 고전력 특성 면에서는 GaN이 더 우수한 것을 확인할 수 있다. 이와 같이 GaN은 3.
- 7에 나타낸 바와 같이 국외와 마찬가지로 2000년에 들어서 특허출원 건수가 활발히 증가하였으나 2010년을 기준으로 감소하는 경향이 나타났다. 이를 세부적으로 검토하면 단결정 성장기술이 39.3 %로 가장 많은 특허건수를 차지하고 있으며, 저결함 및 평탄화 기술이 34.2 %, 설비제작기술이 25.9 %, 마지막으로 기판 분리 기술이 0.7 %로 가장 적은 출원건수를 차지하고 있다.
- 8에서 세부기술 동향을 연도 구간별로 보면 초기에 설비제작기술이 약 55 %로 가장 많은 비율을 차지하다가 현재 8%로 가장 적은 비율을 가지고 있으며, 반대로 단결정 성장기술은 초기에 9%로 가장 적은 비율을 가지다가 현재 64 %로 가장 많은 비율을 차지하고 있다. 이를 통해 국내에서 GaN 기판 제작설비기술은 개선단계에 있고 단결정 성장기술 부분으로 관심이 집중되며 최근에는 기판을 분리할 수 있는 기술에 대한 관심이 나타나기 시작하는 것을 확인할 수 있다. 이중 GaN 기판과 관련된 특허건수는 약 42건으로 그 중 Lumistal이 12건, 삼성이 7건, 그리고 한국산업기술대학교와 한양대학교가 공동연구를 통한 14건으로 4개의 기관이 GaN 기판과 관련된 특허건을 약 70 % 정도 차지하고 있다[18].
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