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SiC 전력반도체 기술 및 제품동향 원문보기

전력전자학회지 = The journal of the Korean Institute of Power Electronics, v.14 no.1, 2009년, pp.34 - 39  

(Infineon Technologies) ,  (Infineon Technologies) ,  서범석 (Infineon Technologies)

초록
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2001년 1세대 SiC 쇼트키 다이오드의 상용화는 고압 다이오드의 Zero 스위칭손실를 가능하게 하여 기존의 CCM(continuous-current mode) PFC의 효율한계를 극복 시킬수 있었다. 2005년 서지전류와 애벌런치 내량을 향상시킨 2세대 SiC 쇼트키 다이오드는 적용의 범용성을 확대 시켰다. 2009년 전력내량이 증대된 3세대 다이오드는 이상적인 다이오드의 현실화를 위해 한발 더 나아가게 하고 있다. 본고에서는 이러한 노력을 경주해온 인피니언의 SiC 전력반도체 소자의 기술 및 개발 현황을 소개한다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 보다 광범위한 범용성을 목표로 SiC 다이오드의 전력 (Power) 정격의 한계를 개선시키고자 하는 기술개발 노력을 진행하였다. 다이오드는 저항특성 때문에 전류의 증가에 따라 도통손실이 증가하게 된다.
  • 2009년 전력내량이 증대된 3세대 다이오드는 이상적인 다이오드의 현실화를 위해 한발 더 나아가게 하고 있다. 본고에서는 이러한 노력을 경주해온 인피니언의 SiC 전력반도체 소자의 기술 및 개발 현황을 소개한다.
  • 본고에서는 초저손실 전력 소자 기술개발을 위하여 노력하여 온 인피니언의 SiC 쇼트키 다이오드 실현 결과들에 대하여 설명하며, 또한 전력전자 여러 분야에서 많은 기대와 관심을 갖고 있는 SiC 전력반도체 스위칭 소자의 개발노력 현황에 대하여도 논의한다.
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참고문헌 (16)

  1. Baliga B.J., J. Appl. Phys. 53, pp. 1759-1764, 1982 

    상세보기 crossref

  2. Kapels, H.; Rupp. R.; Lorenz. 1.; and Zverev. I. 'SiC Schottky Diodes: A Milestone in Hard Switching Applications,' Proc. of PCIM. 2001 

  3. Zverev, I.; Kapels, H.; Rupp, R.; and Herfurth, M 'Silicon Carbide Schottky: Novel Devices Require Novel Design Rules,' Proc. of PCIM, 2002 

  4. Hancock, J. Lorenz, L. 'Comparison of Circuit Design Approaches in High Frequency PFC Converters for SiC Schotty Diode and High Performance Silicon Diodes,' Proceedings of PCIM, pp. 192-200, 2001 

  5. I. Zverev, M. Treu, H. Kapels, O. Hellmund, R. Rupp, J. Weiss, Proceedings of EPE Graz, 2001 

  6. Bjoerk, F. Hancock, J. Treu, M.; Rupp, R. and Reimann, T. '2nd Generation 600V SiC Schottky Diodes used Merged PN/Schottky Structure for Surge Overload Protection,' Proceedings of APEC, 2006 

  7. Rupp, R. Treu, M. Voss, S. Bjoerk, F.; Reimarnn, T. '2nd Generation SiC Schottky Diodes: A New Benchmark in SiC Device Ruggedness,' Proceedings of ISPSD, 2006 

  8. http://www.infineon.com/see FF600R12IS4F datasheet 

  9. http://www.rohm.com/news/060310.html (2006) 

  10. http://global.mitsubishielectric.com/pdf/advance/vol105/08_RD1.pdf (2004) 

  11. Senzaki J, Shimozato A, Okamoto M, Kojima K, Fukuda K. Okumura H, Kazuo Arai K. 'Gatearea Dependence of SiC Thermal Oxides Reliability,' Proceedings of ICSCRM, 2008 

  12. Agarwal A, 'Technical challenges in commercial SiC power MOSFETs,' Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium, 2007 

  13. Matocha, K. 'Challenges in SiC power MOSFET design,' Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium, 2007 

  14. Treu M., Rupp R., Blaschitz P., Rschenschmidt K., Sekinger Th., Friedrichs P., Elpelt R., Peters D., 'Strategic considerations for unipolar SiC switch options: JFET vs. MOSFET,' Proceedings of IAS, 2007 

  15. Rueschenschmidt K., Treu M., Rupp R., Friedrichs P., Elpelt R., Peters D., Blaschitz P., 'SiC JFET: The Currently Best Solution for an Unipolar SiC High Power Switch,' Proceedings of ICSCRM, 2007 

  16. Mino, K., Herold, S., Kolar, J.W., 'A gate drive circuit for silicon carbide JFET,' Procedings of 29th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, 2003 

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