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문제 정의
- CVD 방법에 의한 SiOC 박막이 유전상수가 낮아지는 원인에 대하여 많은 연구가 있어왔으나, 명확한 해석은 이루어지지 않고 있었다. SiOC 박막의 유전상수가 낮아지는 원인과 박막의 두께 사이의 관계에 대하여 연구하였으며, 굴절률 사이의 상관성에 대하여도 연구하였다. SiOC 박막 두께와 굴절률 사이의 관계는 반비례하는 경향성이 나타났으며, 유전상수가 낮은 박막에서 굴절률은 증가하였다.
- 본 연구에서는 SiOC 박막이 유전상수가 낮아지는 원인에 대하여 조사하기 위해서 굴절률과 두께를 조사하였으며, 유전상수를 구하고 유전상수와 박막의 두께 사이의 상관성에 대하여 조사하였다. 그리고 SiOC 박막이 분극이 낮아지는 특성과 유전상수가 낮아지는 원인에 대하여 조사하여 SiOC 박막이 낮은 유전상수를 갖는 최적의 조건을 유도하였다.
가설 설정
- Fig. 1(a)의 굴절률과 두께 사이의 관계는 서로 반비례하는 경향성이 있다. Fig.
- Fig. 3(b)의 유전상수와 박막의 두께 사이의 관계는 서로 비례하는 경향성이 보인다. 이러한 특성 역시 Fig.
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