최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.22 no.11, 2009년, pp.910 - 917
박병관 (전북대학교 반도체과학기술학과) , 양현덕 (전북대학교 반도체과학기술학과) , 최철종 (전북대학교 반도체과학기술학과) , 심규환 (전북대학교 반도체과학기술학과)
We have designed a new structures of Junction Field Effect Transistor(JFET) using SILVACO simulation to improve electrical properties and process reliability. The device structure and process conditions of Si control JFET(Si JFET) were determined to set cut off voltage and drain current(at Vg=0 V) t...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
M. Fujiwara, M. Sasaki, H. Nagata, and H. Matsuo, 'Optical control of low frequency noise behavior in cryogenic GaAs junction field effect transistor', Cryogenics, 2009
L. J. Sevin, 'Field-effect Transistors', New York: McGraw-Hill, 1965
A. D. Evans, 'Designing with Field-effect Transistors', New York: Siliconix Inc., McGraw-Hill, 1981
E. S. Oxner, 'FET Technology and Application', Santa Clara, CA: Siliconix, 1989
M. Citterio, J. Kierstead, S. Rescia, P. F. Manfredi, and V. Speziali, 'Low noise monolithic Si-JFET's for operation in the 90-300 K range and in high radiation environments', in Proc. Symp, Low Temp. Electronics and High Temp. Superconductivity, C. L. Claeys, S. I. Raider, R. K. Kirshman, and W. D. Brown, Eds. Soc., Vol. PV 95-9, p. 418, 1995
B. G. Park, C. J. Choi, J. Y. Kim, and K. H. Shim, 'Electrical properties of JFET using SiGe/Si/SiGe channel structure', (to be published)
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.