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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.22 no.11, 2009년, pp.905 - 909
박병관 (전북대학교 반도체과학기술학과) , 양현덕 (전북대학교 반도체과학기술학과) , 최철종 (전북대학교 반도체과학기술학과) , 김재연 (전북대학교 반도체과학기술학과) , 심규환 (전북대학교 반도체과학기술학과)
The new Junction Field Effect Transistors (JFETs) with Silicon-germanium (SiGe) layers is investigated. This structure uses SiGe layer to prevent out diffusion of boron in the channel region. In this paper, we report electrical properties of SiGe JFET measured under various design parameters influen...
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J. C. Zolper, A. G. Baca, M. E. Sherwinl, and J. F. Klem 'Ion Implantation for High Performance III-Ⅴ JFETS and HFETS', Microwave Signal, Inc., 1996.
M. Citterio, J. Kierstead, S. Rescia, P. F. Manfredi, and V. Speziali, 'Low noise monolithic Si-JFET's for operation in the 90-300 K range and in high radiation environments', in Proc. Symp, Low Temp. Electronics and High Temp. Superconductivity, C. L. Claeys, S. I. Raider, R. K. Kirshman, and W. D. Brown, Eds. Soc., Vol. PV 95-9, p. 418, 1995
N. R. Zangenberg, J. Fage-Pedersen, J. Lundsgaard Hansen, and A. Nylandsted Larsen, 'Boron and phosphorus diffusion in strained and relaxed Si and SiGe', J. Appl. Phys., Vol. 94, No. 6, 2003
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