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임피던스 인버터와 고조파 발진기를 이용한 VCO 설계 및 제작
Design and Implementation of a VCO Employing Harmonic Oscillators and a Impedance Inverter 원문보기

韓國ITS學會 論文誌 = The journal of the Korea Institute of Intelligent Transportation Systems, v.8 no.5, 2009년, pp.98 - 104  

장정석 (광운대학교 전파 공학과) ,  정연홍 (광운대학교 전파 공학과) ,  도지훈 (광운대학교 전파 공학과) ,  김대웅 (광운대학교 전파 공학과) ,  홍의석 (광운대학교 전파 공학과)

초록
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본 논문에서는 Push-Push 구조와 고임피던스 인버터를 이용하여 개선된 VCO를 설계 및 제작하였다. 두 개의 고조파 발진기를 Push-Push 구조로 결합시킴으로써 기본주파수 억압특성을 개선하였으며, 고조파 출력을 향상시켰다. 이에 따른 위상잡음 증가는 고임피던스 인버터를 이용하여 공진기와 병렬선로 사이의 결합특성 개선을 통하여 억제하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, improved VCO(voltage controlled oscillator) with push-push structure and high impedance-inverter is designed and implemented. Two harmonic oscillators are combined into push-push structure. As a result, the fundamental suppression and the output power have been progressed. For the imp...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 K-band 대역의 새로운 구조의 VCO를 제안하였다. 높은 주파수의 신호원을 얻기 용이한 Push-Push 구조를 고조파 발진기를 적용하여 기본파 억압특성과 2차 고조파 출력을 개선하였다.
  • 본 논문에서는 위성통신과 ITS 분야를 결합한 광역권 교통 정보 수집 및 제어 통합 시스템에서 필요한 새로운 구조의 위성통신용 K-band VCO를 제안하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
선형 발진기 설계방법에는 비선형 해석이 왜 필요한가요? 선형 발진기 설계방법은 FET의 비선형 특성에 의한 고조파 신호의 정도를 예측할 수 없으므로, 고조파 발진기의 설계를 위해서 비선형 해석이 반드시 필요하다. 일반적으로 FET 발진기에서의 고조파 출력신호는 소자의 비선형성, 바이어스 설정에 의한 전류 정류 작용에 발생된다 [7, 8].
초고주파 발진기의 위성잡음 특성에 영향을 주는 주요 요인에는 무엇이 있나요? 초고주파 발진기의 위성잡음 특성에 영향을 주는 주요 요인으로는 반도체 소자의 flicker 잡음, 대신호 조건에서의 잠음지수 및 공진기의 특성 등 여러 가지가 있다. 이 중 상향 변환된 flicker 잡음을 줄이는 방법으로는 낮은 잡음의 능동소자 선택, high Q 공진기 사용, 적절한 바이어스 설정 등의 일반적 방법 외에 외부 피드백 회로 삽입 방식이나 피드포워드 증폭기 방식으로서 flicker 잡음을 상쇄시키는 경우가 있다[11].
K-band 대역의 새로운 구조의 VCO를 제안하였는데, 이 발진기는 어떤 장점을 가지나요? 제안된 발진기는 기본 주파수가 아닌 2차 고조파를 이용하기 때문에 하나의 발진기 회로로써 주파수 체배기를 사용할 때보다 소형화 할 수 있다는 장점을 가진다. 또한 임피던스 인버터를 적용한 VCHO를 제작하여 우수한 위상잡음 특성을 유지할 수 있었다.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (15)

  1. R. Kohno, "ITS and mobile multi-media communicationin Japan," Proc. Telecommunication Technique Workshop for ITS, pp. 9-33, May 2000. 

  2. F. Kuo, W. Effelsbery, and J. J. Garcia- Luna Aceves, Multimedia Communications, Prentice Hall 1998. 

  3. ETRI & Gartner Consulting, 50대 전략품목 시장보고서:Telematics, ETRI, 2001. 10. 

  4. 최숙양, 신재명, 한대철, 문학룡, "국도 ITS 위성통신 도입여건에 관한 연구," 한국ITS학회 추계 학술대회 논문집, pp. 97-102, 2005. 11. 

  5. KT, 위성 통신 및 단거리전용 통신을 이용한 지 능형 교통서비스 시스템 및 그 방법, 특허등록 번호 1007881570000, 2007. 

  6. P. Miller, "Ka-band-The future of satellite communication?," Satellite & Broadband Magazine, pp. 12-28, Sept. 2007. 

  7. J. Lin and T. Itoh, "Tunable active bandpass filters using three-terminal MESFET varactors," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., vol. 2, pp. 921-924, June 1992. 

  8. W. R. Curtice and M. Ettenberg, "A nonlinear GaAs FET model for use in the design of output circuits for power amplifiers," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 33, no. 12, pp. 1383-1394, Dec. 1985. 

  9. V. Hwang and T. Itoh, "An effective approach for large-signal modeling and analysis of the GaAs MESFET," IEEE Trans. Microwave Theory Tech.,vol. 35, pp. 396-402, April 1987. 

  10. S. A. Maas, Nonlinear Mcrowave and RF circuits,Artech House, Norwood, 2003. 

  11. J. K. A. Everard and C. Broomfield, "Flicker noise removal in microwave oscillators using GaAs based feedforward amplifier," Proc. IEEE Int. Frequency Control Symp., pp. 156-160, June 2001. 

  12. Y. D. Lee, M. H. Lee, K. H. Lee, W. P. Hong, and U. S. Hong, "Voltage-controlled Hair-pin resonator oscillator with new tuning mechanism," Electron. Lett., vol. 17, pp. 1470-1471, Aug. 2000. 

  13. M. Q. Lee, K. K. Ryu, and I. B. Yom, "Phase noise reduction of microwave HEMT oscillators using a dielectric resonator coupled by a high impedance inverter," ETRI Journal, vol. 23, no. 4, pp. 199-200, Dec. 2001. 

  14. Toshiba, 1SV306 data sheet, 1997. 

  15. H. Xiao, T. Tanaka, and M. Aikawa, "Push-push oscillator with simplified circuit structure," Electron. Lett., vol. 24, pp. 1545-1547, Nov. 2002. 

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