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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.46 no.3 = no.381, 2009년, pp.96 - 102
고민정 (단국대학교 전자컴퓨터공학과) , 박시홍 (단국대학교 전자컴퓨터공학과)
This paper deals with gate drive and power IC for high power devices(600V/200A and 1200V/150A). The proposed gate driver provides high gate driving capability (4 A source, 8 A sink), and over-current protected by means of power transistor desaturation detection. In addition, soft-shutdown function i...
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A. D. Pathak, "MOSFET/IGBT drives theory and applications," IXYS Corporation, pp. 1, Santa Clara, CA 2001
V. K. Khanna, "The Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design," Wiley-Interscience, pp. 5-11, 2003
김상철, 김은동, "전력반도체 기술 및 시장동향," 전기전자재료, pp. 15-24, 2002
Toshio Takahashi, "IGBT Protection in AC or BLDC Motor Drives," International Redifer Techniml Paper, 2000
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