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NTIS 바로가기반도체및디스플레이장비학회지 = Journal of the semiconductor & display equipment technology, v.8 no.2, 2009년, pp.1 - 10
오세규 (서울산업대학교 에너지환경대학원 나노아이티공학과) , 김동환 (서울산업대학교 기계설계자동화공학부) , 김승재 (서울산업대학교 산업대학원 메카트로니스공학과)
This study describes the electron beam lithography pattern fabrication using the proximity effect correction. When electron beam exposes into electron beam resist, the beam tends to spread inside the substance (forward scattering). And the electron beam reflected from substrate spreads again (back s...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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차세대 묘화기술 요구에 따른 차세대 리소그래피에는 어떠한 것들이 있는가? | 현재 널리 사용되고 있는 광 리소그래피(optical lithography)는 해상도 한계에 도달한 상태이며, 차세대 묘화기술(Next Generation Litho -graphy) 요구에 따라 전 세계적으로 극자외선(EUV), 나노임프린트(Nanoimprint), 전자빔 리소그래피(EBL) 등 차세대 리소그래피에 대한 연구개발이 활성화 되고 있는 상태이다[2,3]. 차세대 리소그래피 중에서 전자빔 리소그래피 기술은 고해상도와 높은 정렬 정확도를 가지므로 마스크 제작, DRAM의 시제품 제작 등의 초 미세소자의 제작에 이용되고 있다. | |
반도체 공정에서 리소그래피란 무엇을 의미하는가? | 리소그래피(lithography)는 어원이 그리스어인 litho(돌)과 graph(그리다)의 합성어로 석판술 혹은 인쇄라는 뜻이다. 반도체 공정에서 돌(실리콘 웨이퍼)에 패턴을 형성시키는 공정을 리소그래피라고 한다. 이러한 리소그래피기술은 반도체 소자 제조 공정비용의 30%, 공정 시간의 60%를 차지하는 핵심기술이다[1]. | |
전자빔 리소그래피에서 감광제는 어떻게 사용되는가? | 전자빔 리소그래피는 광 리소그래피와 같이 폴리머 감광막 위에 패턴을 노광하고 현상하는 과정으로 이루어진다. 양성 감광제는 노광된 부분이, 그리고 음성 증폭형 감광제가 아닌 경우, 감광제에 전자빔을 노광하면 분자사슬이 끊어지거나 상호 연결되어 노광되지 않은 부분에 비해 더욱 가용성이 되거나 또는 불용성이 된다. 이를 적당한 현상액으로 현상하면 미세패턴을 얻게 된다. 화학 증폭형 감광제인 경우에는 전자빔을 노광하면, 산(acid)이 발생하고, PEB(Post Exposure Bake)과정에서 산이 촉매가 되어 분자사슬을 분리하거나 결합하는 화학반응이 일어나게 된다. 따라서 감광제에 입사된 전자들이 방사하는 에너지의 분포가 현상될 패턴을 결정한다[4]. |
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