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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.22 no.6, 2009년, pp.462 - 465
신진욱 (광운대학교 전자재료공학과) , 정홍배 (광운대학교 전자재료공학과) , 이영희 (광운대학교 전자재료공학과) , 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)
Schottky barrier thin film transistors (SB-TFT) on polycrystalline silicon(poly-Si) are fabricated by platinum silicided source/drain for p-type SB-TFT. High quality poly-Si film were obtained by crystallizing the amorphous Si film with excimer laser annealing (ELA) or solid phase crystallization (S...
J. M. Larson and J. P. Snyder, 'Overview and status of metal S/D schottky-barrier MOSFET technology', IEEE Electron Device Lett., Vol. 53, p. 1048, 2006
L. E. Calvet, H. Luebben, M. A. Reed, C. Wang, and J. P. Snyder, 'Suppression of leakage current in Schottky barrier metal?oxide?semiconductor field-effect transistors', J. Appl. Phys., Vol. 91, p. 757, 2002
S. Y. Oh, C. G. Ahn, J. H. Yang, W. J. Cho, W. H. Lee, H. M. Koo, and S. J. Lee, 'Three-dimensionally stacked poly-Si TFT CMOS inverter with high quality laser crystallized channel on Si substrate', Solid-State Electron., Vol. 52, p. 372, 2008
K. Zellama, P. Germain, S. Squerard, J. C. Bourgeoin, and P. A.Thomas, 'Crystallization in amorphous silicon', J. Appl. Phys., Vol. 50, p. 6995, 1979
V. Subramanian, P. Dankoski, L. Degertekin, B. T. Khuri-Yakub, and K. C. Saraswat, 'Controlled two-step solid-phase crystallization forhigh-performance polysilicon TFT's', IEEE Electron Device Lett., Vol. 18, p. 378, 1997
J. Y. Lee, C. H. Han, and C. K. Kim, 'High performance low temperature polysilicon thin film transistor using ECR plasma thermal oxide as gate insulator', IEEE Electron. Device Lett., Vol. 15, p. 301, 1994
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