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플레티늄-실리사이드를 이용한 쇼트키 장벽 다결정 박막 트랜지스터
Schottky Barrier Thin Film Transistor by using Platinum-silicided Source and Drain 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.22 no.6, 2009년, pp.462 - 465  

신진욱 (광운대학교 전자재료공학과) ,  정홍배 (광운대학교 전자재료공학과) ,  이영희 (광운대학교 전자재료공학과) ,  조원주 (광운대학교 전자재료공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Schottky barrier thin film transistors (SB-TFT) on polycrystalline silicon(poly-Si) are fabricated by platinum silicided source/drain for p-type SB-TFT. High quality poly-Si film were obtained by crystallizing the amorphous Si film with excimer laser annealing (ELA) or solid phase crystallization (S...

주제어

#poly-Si schottky barrier TFT   #Pt-silicide   #Excimer-laser annealing   #Solid phase crystallization  

참고문헌 (6)

  1. J. M. Larson and J. P. Snyder, 'Overview and status of metal S/D schottky-barrier MOSFET technology', IEEE Electron Device Lett., Vol. 53, p. 1048, 2006 

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  2. L. E. Calvet, H. Luebben, M. A. Reed, C. Wang, and J. P. Snyder, 'Suppression of leakage current in Schottky barrier metal？oxide？semiconductor field-effect transistors', J. Appl. Phys., Vol. 91, p. 757, 2002 

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  3. S. Y. Oh, C. G. Ahn, J. H. Yang, W. J. Cho, W. H. Lee, H. M. Koo, and S. J. Lee, 'Three-dimensionally stacked poly-Si TFT CMOS inverter with high quality laser crystallized channel on Si substrate', Solid-State Electron., Vol. 52, p. 372, 2008 

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  4. K. Zellama, P. Germain, S. Squerard, J. C. Bourgeoin, and P. A.Thomas, 'Crystallization in amorphous silicon', J. Appl. Phys., Vol. 50, p. 6995, 1979 

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  5. V. Subramanian, P. Dankoski, L. Degertekin, B. T. Khuri-Yakub, and K. C. Saraswat, 'Controlled two-step solid-phase crystallization forhigh-performance polysilicon TFT's', IEEE Electron Device Lett., Vol. 18, p. 378, 1997 

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  6. J. Y. Lee, C. H. Han, and C. K. Kim, 'High performance low temperature polysilicon thin film transistor using ECR plasma thermal oxide as gate insulator', IEEE Electron. Device Lett., Vol. 15, p. 301, 1994 

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