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[국내논문] 6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현
Analytical Expressions for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 6H-SiC PN Diodes 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.46 no.6 = no.384, 2009년, pp.1 - 5  

정용성 (두원공과대학 인터넷정보과)

초록
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6H-SiC 전자 및 정공의 이온화계수로부터 유효이온화계수를 추출하여 6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현식을 유도하였다. 해석적 모형으로부터 구한 항복전압을 $10^{15}{\sim}10^{18}\;cm^{-3}$의 도핑 농도 범위에서 실험 결과와 비교하여 10% 이내의 오차로 일치하였고, 농도 함수의 온-저항의 해석적 결과도 $5{\times}10^{15}{\sim}10^{16}\;cm^{-3}$의 범위에서 이미 발표된 수치적 결과와 매우 잘 일치하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Analytical expressions for breakdown voltage and specific on-resistance of 6H-SiC PN diodes have been derived successfully by extracting an effective ionization coefficient from ionization coefficients for electron and hole in 6H-SiC. The breakdown voltages induced from our analytical model are comp...

Keyword

#6H-SiC   #Effective ionization coefficient   #Breakdown voltage   #Specific on-resistance  

참고문헌 (16)

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