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Ni/Al ('/' denotes deposition sequence) contacts were deposited on Al-implanted 4H-SiC for ohmic contact formation, and the conduction properties were characterized and compared with those of Ni-only contacts. The thicknesses of the Ni and Al thin film were 30 nm and 300 nm, respectively, and the fi...

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문제 정의

  • 본 논문에서는 Ni/Al 전극재료의 적용성을 평가하기 위하여, A1 이 이온주입된 通 4H-SiC 에 Ni/Al 이중막을 증착하여 급속열처리(Rapid thermal anneal : RTA) 온도에 대한 접촉저항값의 변화를 분석하고 저온.저저항 p형 오믹접합 형성의 가능성을 타진하였다.
  • 저온.저저항 p형 오믹접합 형성의 가능성을 타진하였다. 또한 X선 회절법(X-Ray diffraction : XRD) 및 energy dispersive spectroscopy (EDS) 분석법을 이용하여 Ni/Al contact sample을 분석하고, Al 첨가에 의해 오믹접촉이 형성되는 원인을 모색하고자 하였다.
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참고문헌 (27)

  1. B. J. Baliga, 'Silicon carbide power devices', World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., Singapore, p.16, 2005 

  2. S.-J. Kim, 'Effect on metal guard ring in breakdown characteristics of SiC Schottky barrier diode', J. of KIEEME(in Korean), Vol. 18, No. 10, p. 877, 2005 

  3. S. Tanimoto, N. Kiritani, M. Hoshi, and H. Okushi, 'Ohmic contact structure and fabrication process applicable to practical SiC devices', Mater. Sci. Forum, Vol. 389-393, p. 879, 2002 

  4. J. Crofton, P. G. McMullin, J. R. Williams, and M. J. Bozack, 'High-temperature ohmic contact to n-type 6H-SiC using nickel', J. Appl. Phys., Vol. 77, p. 1317, 1995 

  5. F. La Via, F. Roccaforte, A. Makhtari, V. Raineri, P. Musumeci, and L. Calcagno, 'Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide', Microelectron. Eng., Vol. 60, p. 269, 2002 

  6. L. G. Fursin, J. H. Zhao, and M. Weiner, 'Nickel ohmic contacts to p- and n-type 4H-SiC', Electron. Lett., Vol. 37, p. 1092, 2001 

  7. M. W. Cole and P. C. Joshi, in 'Silicon carbide : materials, processing, and devices' (edited by Z. C. Feng and J. H. Zhao), Taylor & Francis, p. 252, 2004 

  8. A. Hall $\acute{e}$ n, R. Nipoti, S. E. Saddow, S. Rao, and B. G. Svensson, 'Advances in selective doping of SiC via ion implantation', in : S.E. Saddow and A. Agarwal (Eds.), Advances in silicon carbide processing and applications, Artech House, Inc., Boston.London, 2004 

  9. V. Heera, D. Panknin, and W. Skorupa, 'P-type doping of SiC by high dose Al implantation - problems and progress', Appl. Surf. Sci., Vol. 184, p. 307, 2001 

  10. X. Wang, S. Soloviev, Y. Gao, G. Straty, T. Sudarshan, J. R. Williams, and J. Crofton, 'Al/Ni and Al/Ti ohmic contact to P-type SiC diffused layer', Mat. Res. Soc. Symp., Vol. 640, p. H5.19.1, 2001 

  11. J. Y. Lin, S. E. Mohney, M. Smalley, J. Crofton, J. R. Williams, and T. Izaacs- Smith, 'Engineering the Al-Ti/p-SiC ohmic contact for improved performance', Mat. Res. Soc. Symp., Vol. 640, p. H7.3.1, 2001 

  12. B. J. Johnson and M. A. Capano, 'Mechanism of ohmic behavior of Al/Ti contacts to p-type 4H-SiC after annealing', J. Appl. Phys., Vol. 95, p. 5616, 2004 

  13. M. Gao, S. Tsukimoto, S. H. Goss, S. P. Tumakha, T. Onishi, M. Murakami, and L. J. Brillson, 'Role of interface layers and localized states in TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC', J. Electron. Mater., Vol. 36, p. 277, 2007 

  14. R. Konishi, R. Yasukochi, O. Nakatsuka, Y. Koide, M. Moriyama, and M. Murakami, 'Development of Ni/Al and Ni/Ti/Al ohmic contact materials for p-type 4H-SiC', Mat. Sci. Eng. B, Vol. 98, p. 286, 2003 

  15. H. Vang, M. Lazar, P. Brosselard, C. Raynaud, P. Cremillieu, J.-L. Leclercq, J.-M. Bluet, S. Scharnholz, and D. Planson, 'Ni-Al ohmic contact to p-type 4H-SiC', Superlattices and Microstructures, Vol. 40, p. 626, 2006 

  16. S.-J. Joo, J. Y. Song, I.-H. Kang, W. Bahng, S. C. Kim, and N.-K. Kim, 'Electrical characteristics of Ni/Ti/Al ohmic contacts to Al-implanted p-type 4H-SiC', J. of KIEEME(in Korean), Vol. 21, No. 11, p. 968, 2008 

  17. D. K. Schroder, 'Semiconductor material and device characterization (2nd edition)', John Wiley & Sons, Inc., p. 154, 1998 

  18. V. M. Bermudez, 'Auger and electron energy-loss study of the Al/SiC interface', Appl. Phys. Lett., Vol. 42, p. 70, 1983 

  19. K. Yasuda, T. Hayakawa, and M. Saji, 'Annealing effects of Al/n-type 6H SiC rectifying contacts', IEEE Trans. Electron Dev., Vol. ED-34, p. 2002, 1987 

  20. J. C. Viala, P. Fortier, and J. Bouix, 'Stable and metastable phase equilibria in the chemical interaction between aluminum and silicon carbide', J. Mater. Sci., Vol. 25, p. 1842, 1990 

  21. W. King and R. Dorward, 'Electrical resistivity of aluminum carbide at 990-1240K', J. Electrochem. Soc., Vol. 132, p. 388, 1985 

  22. L. Muehlhoff, W. J. Choyke, M. J. Bozack, and John T. Yates, Jr., 'Comparative electron spectroscopic studies of surface segregation on SiC(0001) and SiC(000-1)', J. Appl. Phys., Vol. 60, p. 2842, 1986 

  23. L. Wenchang, Z. Kaiming, and X. Xide, 'An electronic structure study of single native defects in beta -SiC', J. Phys. : Condens. Matter., Vol. 5, p. 891, 1993 

  24. T. Wimbauer, B. Meyer, A. Hofstaetter, A. Scharmann, and H. Overhoff, "Negatively charged Si vacancy in 4H SiC: A comparison between theory and experiment", Phys. Rev. B, Vol. 56, p. 7384, 1997 

  25. J. M. Larson and J. P. Snyder, 'Overview and status of metal S/D schottky-barrier MOSFET technology', IEEE Trans. Electron. Devices, Vol. 53, p. 1048, 2006 

  26. Z. Zhang, Z. Qiu, R. Liu, M. Ostling, and S.-L. Zhang, 'Schottky-barrier height tuning by means of ion implantation into preformed silicide films followed by drive-in anneal', IEEE Electron Dev. Lett., Vol. 28, p. 565, 2007 

  27. M. Sinha, E. F. Chor, and Y.-C. Yeo, 'Tuning the schottky barrier height of nickel silicide on p-silicon by aluminum segregation', Appl. Phys. Lett., Vol. 92, p. 222114, 2008 

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