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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집, 2002 July 01, 2002년, pp.358 - 361
방욱 (한국전기연구원 전력반도체그룹) , 송근호 (한국전기연구원 전력반도체그룹) , 김남균 (한국전기연구원 전력반도체그룹) , 김상철 (한국전기연구원 전력반도체그룹) , 서길수 (한국전기연구원 전력반도체그룹) , 김형우 (한국전기연구원 전력반도체그룹) , 김은동 (한국전기연구원 전력반도체그룹)
Self-aligned MOSFETS using a polysilicon gate are widely fabricated in silicon technology. The polysilicon layer acts as a mask for the source and drain implants and does as gate electrode in the final product. However, the usage of polysilicon gate as a self-aligned mask is restricted in fabricatin...
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