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펄스레이저 증착법에 의한 polyethersulfone 기판상의 ZnO박막의 특성
The characteristics of ZnO Thin film on PES substrate by pulsed laser deposition 원문보기

전기학회논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers, v.59 no.1, 2010년, pp.113 - 115  

최영진 (인하대 전기공학과) ,  이천 (인하대 전기공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, ZnO films have been grown on PES(polyethersu]fone) substrate by PLD(pulsed laser deposition) and characterized as a change of laser density and substrate temperature. Growing conditions were changed with substrate temperatures ranging from 50 to $200^{\circ}C$ and laser den...

주제어

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제안 방법

  • 본 논문에서는 PES (polyethersulfone)기판위에 ZnO 박막을 제작하였고, 레이저의 파워와 기판의 온도의 변화에 따른 ZnO 박막의 결정 구조적, 광학적 특성의 변화를 XRD, AFM, SEM, PL측정을 통해서 관찰하였다.
  • 기판의 온도는 50℃- 200℃까지 변화시켰다. 본 논문에서는 펄스 레이저 증착법에 의해 증착 조건에 따라 나타나는 ZnO 박막의 결정 구조적, 광학적 특성을 분석한 후, XRD(X-선 회절법), AFM (원자 현미경), SEM(주사전자현미경)과 PL(Photo luminescence)측정기를 통하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다.
  • 레이저 증착법을 사용하였다. 본 실험에 사용된 챔버의 초기 진공도는 확산펌프를 사용하여 IO* Torr까지 만들 수 있으며, 기판온도를 조절하기 위하여 저항가열히터를 사용하여 제어하였다. 레이저 원으로는 1064 nm의 기본파를 갖는 Nd:YAG 레이저의 4고조파(A= 266nm) 성분을 사용하여 타겟에 조사하였다.
  • 본 연구에서는 펄스 레이저 증착법을 이용하여 PES 기판상에 ZnO 박막을 증착하였다. 저온에서 증착된 ZnO박막은 ZnO박막의 결정성을 보여주는 XRD의 (002)피크가 매우 약하고 산소와 아연의 화학적조성비가 맞지않는 것을 (101) 피크를 통해서 알 수 있다.
  • 99 %의 ZnO 타겟을 사용하였고, 기판으로는 1cm X 1cm 크기의 PES (polyethersulfone)을 사용하였다. 타겟과 기판과의 거리는 4 cm이고, 증착동안에 레이저 펄스가 연속적으로 타겟의 새로운 면에 조사 되도록 하기 위하여 타겟 홀더를 회전하였다. 사용된 레이저 밀도는 0.

대상 데이터

  • 본 실험에 사용된 챔버의 초기 진공도는 확산펌프를 사용하여 IO* Torr까지 만들 수 있으며, 기판온도를 조절하기 위하여 저항가열히터를 사용하여 제어하였다. 레이저 원으로는 1064 nm의 기본파를 갖는 Nd:YAG 레이저의 4고조파(A= 266nm) 성분을 사용하여 타겟에 조사하였다. 박막 증착을 위한 타겟으로는 지름 1 inch 순도 99.
  • 레이저 원으로는 1064 nm의 기본파를 갖는 Nd:YAG 레이저의 4고조파(A= 266nm) 성분을 사용하여 타겟에 조사하였다. 박막 증착을 위한 타겟으로는 지름 1 inch 순도 99.99 %의 ZnO 타겟을 사용하였고, 기판으로는 1cm X 1cm 크기의 PES (polyethersulfone)을 사용하였다. 타겟과 기판과의 거리는 4 cm이고, 증착동안에 레이저 펄스가 연속적으로 타겟의 새로운 면에 조사 되도록 하기 위하여 타겟 홀더를 회전하였다.

이론/모형

  • 본 실험에서 사용된 ZnO 박막의 형성방법은 화학 조성비 특성이 우수하여 다성분 화합물박막성장에 많이 사용되는 펄스 레이저 증착법을 사용하였다. 본 실험에 사용된 챔버의 초기 진공도는 확산펌프를 사용하여 IO* Torr까지 만들 수 있으며, 기판온도를 조절하기 위하여 저항가열히터를 사용하여 제어하였다.
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참고문헌 (10)

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  8. B. J. Jin, S. Im and S. Y. Lee, "Violet and UV Luminescence Emitted from ZnO Thin Films Grown on Sapphire by Pulsed Laser Deposition", Thin Solid Films, Vol. 366, pp. 107-110, 2000. 

  9. K. Haga, T. Suzuki, Y. Kashiwaba, H Watanabe, B. P. Zhang and Y. Segawa, "High-Quality ZnO Films Prepared on Si Wafers by Low-Pressure MO-CVD", Thin Solid Films, Vol. 433, pp. 131-134, 2003. 

  10. K. Ogata, K. Sakurai, Sz. Fujita, Sg. Fujita and K. Matsushige, "Effects of Thermal Annealing of ZnO Layers Grown by MBE", J. Cryst, Growth, Vol. 214-215, pp. 312-315, 2000. 

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