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산 처리를 이용한 탄소 나노튜브 투명전극 특성 향상
Improved Characteristics of Carbon Nanotube Transparent Electrode Films Using Acid Treatments 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.20 no.2, 2010년, pp.51 - 54  

전주희 (연세대학교 신소재공학부) ,  최지혁 (연세대학교 신소재공학부) ,  문경주 (연세대학교 신소재공학부) ,  이태일 (연세대학교 신소재공학부) ,  문호준 (주식회사 나노솔루션) ,  김형열 (주식회사 나노솔루션) ,  명재민 (연세대학교 신소재공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Transparent conductive films of single wall carbon nanotube (SWCNT) were prepared by spray coating method. The effect of acid treatment on the SWCNT films was investigated. The field emission scanning electron microscope (FESEM) shows that acid treatment can remove dispersing agent. The electrical a...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 대부분의 분산제들은 절연의 특성을 갖기 때문에 탈이온수에 헹구거나 산 처리를 통하여 제거하는 공정이 필요하다. 본 연구에서는 분산제로 이용한 SDS 제거를 통한 박막의 표면 특성을 평가하기 위해 FESEM 측정을 하였다. Fig.

가설 설정

  • Fig. 1은 아크 방전 공정과 air 산화 공정으로 합성한 탄소 나노튜브를 (a)SEM과 (b)TEM을 이용하여 그 형태를 분석한 것이다. Fig.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ITO 전극의 단점은? 대표적인 도전성 재료인 indium tin oxide(ITO)의 경우, 우수한 투과성과 낮은 면저항을 기반으로 차세대 디스플레이용 전극으로 사용되고 있다.1) 하지만 ITO 전극의 경우 brittle 하여 플라스틱 기판에 증착된 ITO 박막을 휘거나 접을 때 기계적 안정성이 취약하며, 기판과의 열팽창계수 차이에 의한 열 변형으로 인하여 특성이 변하는 문제점을 나타내고 있다.2) 이러한 문제들을 극복하기 위해서는 전도성이 뛰어나며 높은 탄성계수를 가지며, 저온에서 대면적 공정이 가능한 새로운 물질에 대한 필요성이 대두되고 있다.
spray coating 방법의 장점은? 본 연구에서는 spray coating,5) vacuum filtration,6) spin coating,7) dip-coating,8) electro-phoretic deposition9)의 다양한 박막 제작 방법 중 대면적 증착이 가능하고 간단하며 저가의 공정인 spray coating 방법을 이용하여 단일벽 탄소 나노튜브 투명 전도성 박막을 제작하였다. 또한, 산처리를 하여 분산제를 제거하여 전기적, 광학적 특성의 변화를 측정하여 투명 전극으로써 가능성을 평가하였다.
CNT의 분산도를 높이기 위해 분산제 사용 시 이를 제거하는 공정이 필수적인 이유는? 3,4) 하지만 탄소 나노튜브 간에 van der waals 인력에 의한 응집 현상은 분산의 불안정성을 일으킨다. 분산도를 높이기 위해서 사용되는 분산제의 경우, 탄소 나노튜브 박막의 전도성과 투과도를 낮추기 때문에 이를 제거하는 공정이 필수적이다.
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참고문헌 (14)

  1. B. Lewis and D. Paine, MRS Bull., 25, 22 (2000). 

  2. N. Saran, K. Parikh, D. Suh, E. Munoz, H. Kolla and S. Manohar, J. Am. Chem. Soc., 126(14), 4462 (2004). 

  3. Q. Cao, Z. Zhu, M. Lemaitre, M. Xia, M. Shim and J. Rogers, Appl. Phys. Lett., 88(11), 113511 (2006). 

  4. S. Iijima, Nature, 354, 56(1991). 

  5. M. Kaempgena, G. S. Duesbergb and S. Roth, Appl. Surf. Sci., 252(2), 425 (2005). 

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  8. M. H. A. Ng, L. T. Hartadi, H. Tan and C. H. P. Poa, Nanotechnology 19, 205703 (2008). 

  9. M. Meitl, Y. Zhou, A. Gaur, S. Jeon, M. Usrey, M. Strano and J. Rogers, Nano Lett., 4(9), 1643 (2004). 

  10. J. Wang, J. Sun, L. Gao, Y. Wang, J. Zhang, H. Kajiura, Y. Li and K. Noda, J. Phys. Chem. C, 113, 17685 (2009). 

  11. H. Geng, K. Kim, K. So, Y. Lee, Y. Chang and Y. Lee, J. Am. Chem. Soc., 129(25), 7758 (2007). 

  12. R. Graupner, J. Abraham, A. Vencelova, T. Seyller, F. Hennrich, M. Kappes, A. Hirsch and L. Ley, Phys. Chem. Chem. Phys., 5, 5472 (2003). 

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  14. D. Oh, Y. Kang, H. Jung, H. Song, Y. Cho and D. Kim, Kor. J. Mater. Res., 19(9), 488 (2009). 

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