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NTIS 바로가기韓國ITS學會 論文誌 = The journal of the Korea Institute of Intelligent Transportation Systems, v.9 no.5, 2010년, pp.72 - 79
최길웅 (광운대학교 전파공학과) , 김형종 (광운대학교 전파공학과) , 최진주 (광운대학교 전자융합공학과) , 김선주 (국방과학연구소)
In this paper, we describe the design and implementation of a high efficiency Doherty power amplifier using gallium nitride (GaN) high-electron mobility transistor (HEMT). The carrier and peaking amplifiers of the proposed Doherty power amplifier consist of the switching-mode Class-E power amplifier...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Class-E 전력증폭기는 무엇으로 구성되어 있는가? | <그림 1>은 이상적인 Class-E 전력증폭기의 기본 회로도 및 등가회로를 나타내고 있다. 그림에서도 알 수 있듯이 능동소자인 트랜지스터 (스위치), DC 전압을 인가하기 위한 RF choke, 드레인-소스 커패시턴스 (Cds)와 기생 커패시턴스를 포함한 커패시턴스 Cp, 정합회로 (동작주파수 대역에서 필터 역할을 하는 L-C 직렬 공진회로), 부하저항 Ropt로 구성되어 있다. 최적의 Class-E 전력증폭기 동작을 위해 스위치가 ON (ωt=2π) 상태 일 때 식 (1)과 (2) 의 조건을 만족해야 한다. | |
높은 효율특성을 갖는 전력증폭기 기술로 어떤 것이 있는가? | 높은 효율특성을 갖는 전력증폭기 기술 살펴보면 드레인에 인가되는 전압과 전류 파형이 중복될 때 발생하는 전력 손실을 줄여 높은 효율을 갖는 원리를 적용한 Class-D, E, F 등과 같은 스위칭 모드 전력증폭기가 있다. 이와 같은 스위칭 모드 전력증폭기는 트랜지스터가 스위치 동작을 전제로 하기 때문에 주로 낮은 주파수 대역의 오디오 증폭기나 전력 컨버터로 사용되었으며, 포화전력구간에서 높은 효율 특성을 갖는다. | |
스위칭 모드 전력증폭기의 효율에 영향을 미치는 요소로 어떤 것이 있는가? | 스위칭 모드 전력증폭기의 효율에 영향을 미치는 요소로는 트랜지스터의 드레인-소스 커패시턴스 (Cds)와 스위칭 저항 (Ron), 트랜지스터 knee voltage가 있다[6]. 이러한 관점에서 다른 GaAs 트랜지스터나 Si LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor) 에 비해 넓은 energy band-gap, 높은 항복 전계, 높은 전자 포화 속도, 좋은 열 전도성 등의 특성을 갖는 GaN (Gallium nitride) HEMT (High electron mobility transistor)는 스위칭 모드 전력증폭기에 가장 적합한 트랜지스터로 볼 수 있다. |
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