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GaN HEMT를 이용한 고효율 스위칭 모드 도허티 전력증폭기 설계
Design of High Efficiency Switching-Mode Doherty Power Amplifier Using GaN HEMT 원문보기

韓國ITS學會 論文誌 = The journal of the Korea Institute of Intelligent Transportation Systems, v.9 no.5, 2010년, pp.72 - 79  

최길웅 (광운대학교 전파공학과) ,  김형종 (광운대학교 전파공학과) ,  최진주 (광운대학교 전자융합공학과) ,  김선주 (국방과학연구소)

초록
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본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-E 스위칭 모드를 적용한 S-대역 레이더용 고효율 스위칭 도허티 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 도허티 전력증폭기는 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기가 고효율 특성을 갖는 Class-E 스위칭 모드로 구성되었다. 측정을 위한 입력 RF 신호$100\;{\mu}s$의 펄스폭과 1 kHz의 PRF (Pulse Repetition Frequency)인 duty 10%인 펄스 신호를 사용하였다. 2.85 GHz의 주파수 대역에서 스위칭 도허티 전력증폭기 측정결과 포화전력에서 6 dB 떨어진 지점의 전력부가 효율 (power-added efficiency, PAE) 및 드레인 효율 (drain efficiency)은 각각 64%와 80.6%로 측정되었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we describe the design and implementation of a high efficiency Doherty power amplifier using gallium nitride (GaN) high-electron mobility transistor (HEMT). The carrier and peaking amplifiers of the proposed Doherty power amplifier consist of the switching-mode Class-E power amplifier...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 GaN HEMT 소자를 사용하여 설계한 Class-E 스위칭 모드 전력증폭기를 적용한 고효율 스위칭 도허티 전력증폭기를 연구하였다. 본 논문에서 제안한 스위칭 모드 도허티 전력증폭기는 동작 주파수 2.

가설 설정

  • 1) 낮은 입력 전력 구간: 피킹 증폭기가 동작하지 않음.
  • 2) 중간 입력 전력 구간: 낮은 입력 전력 구간과 최대 입력 전력 구간 사이에서 동작.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
Class-E 전력증폭기는 무엇으로 구성되어 있는가? <그림 1>은 이상적인 Class-E 전력증폭기의 기본 회로도 및 등가회로를 나타내고 있다. 그림에서도 알 수 있듯이 능동소자인 트랜지스터 (스위치), DC 전압을 인가하기 위한 RF choke, 드레인-소스 커패시턴스 (Cds)와 기생 커패시턴스를 포함한 커패시턴스 Cp, 정합회로 (동작주파수 대역에서 필터 역할을 하는 L-C 직렬 공진회로), 부하저항 Ropt로 구성되어 있다. 최적의 Class-E 전력증폭기 동작을 위해 스위치가 ON (ωt=2π) 상태 일 때 식 (1)과 (2) 의 조건을 만족해야 한다.
높은 효율특성을 갖는 전력증폭기 기술로 어떤 것이 있는가? 높은 효율특성을 갖는 전력증폭기 기술 살펴보면 드레인에 인가되는 전압과 전류 파형이 중복될 때 발생하는 전력 손실을 줄여 높은 효율을 갖는 원리를 적용한 Class-D, E, F 등과 같은 스위칭 모드 전력증폭기가 있다. 이와 같은 스위칭 모드 전력증폭기는 트랜지스터가 스위치 동작을 전제로 하기 때문에 주로 낮은 주파수 대역의 오디오 증폭기나 전력 컨버터로 사용되었으며, 포화전력구간에서 높은 효율 특성을 갖는다.
스위칭 모드 전력증폭기의 효율에 영향을 미치는 요소로 어떤 것이 있는가? 스위칭 모드 전력증폭기의 효율에 영향을 미치는 요소로는 트랜지스터의 드레인-소스 커패시턴스 (Cds)와 스위칭 저항 (Ron), 트랜지스터 knee voltage가 있다[6]. 이러한 관점에서 다른 GaAs 트랜지스터나 Si LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor) 에 비해 넓은 energy band-gap, 높은 항복 전계, 높은 전자 포화 속도, 좋은 열 전도성 등의 특성을 갖는 GaN (Gallium nitride) HEMT (High electron mobility transistor)는 스위칭 모드 전력증폭기에 가장 적합한 트랜지스터로 볼 수 있다.
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참고문헌 (10)

  1. F. H. Rabb, P. Asbeck, S. Cripps, P. B. Kenington and Z. B. Popovic, "Power amplifier and transmitters for RF and microwave," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 50, no. 3, pp. 814-826, Mar. 2002. 

  2. J. van Bezouwen, "System Trends in Ground Based Active Phased Array Radar," 38th European Microwave Conf. Workshop Handouts-WTH-13, pp. 27-31 Oct. 2008. 

  3. T. Quach, et al., "Broadband Class-E Power Amplifier for Space Radar Application," IEEE GaAs IC Symp. Dig., pp. 209-213, Oct. 2001. 

  4. Y. Yang, J. Yi, Y. Y. Woo and B. Kim, "Experimental investigation on efficiency and linearity of microwave Doherty amplifier," 2001 IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., vol. 2, pp. 1367-1370, 20-25, May 2001. 

  5. J. Y. Lee, J. Y. Kim, J. H. Kim, K. J. Cho and S. P. Stapleton, "A high power asymmetric doherty amplifier with improved linear dynamic range," in IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., pp. 1348-1351, June 2006. 

  6. Jr. S. Pengelly, "A comparison between class E power amplifiers employing LDMOS FETs and SiC MESFETs," IEEE Wireless and Microwave Tech Conf, April 2004. 

  7. A. Grebennikov and N. O. Sokal, Switch mode RF Power Amplifiers, Newnes, June 2007. 

  8. J. Kim, B. Kim and Y. Y. Woo, "Advanced design of linear doherty amplifier for high efficiency using saturation amplifier," in Proc. IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig., pp. 1573- 1576, June 2007. 

  9. J. Kim, J. Moon, Y. Y. Woo, S. Hong, I. Kim, J. Kim and B. Kim, "Analysis of a fully matched saturated doherty amplifier with excellent Efficiency," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 56, no. 2, pp. 328-338, Feb. 2008. 

  10. Y. S. Lee, M. W. Lee and Y. H. Jeong, "High efficient doherty amplifier based on Class-E Topology for WCDMA applications," IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 18, no. 9, pp. 608-610, Sept. 2008. 

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