본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT를 사용하여 LTE 밴드 7 대역에서 동작하는 S-대역 300 W급 내부 정합 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. 비선형 모델을 바탕으로 기본주파수 및 고조파에서 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션을 수행하여 최적 임피던스를 추출하였고, 세라믹 패키지 내부에 고조파 임피던스를 튜닝한 정합회로가 적용되었다. 비유전율 40의 고유전율 기판과 RF35TC PCB 기판을 사용하여 제작된 내부 정합 전력증폭기는 펄스 주기 1 ms, 듀티 10 %의 펄스 모드 조건에서 전력 성능이 측정되었으며, 2.62~2.69 GHz에서 257~323 W의 최대 출력 전력과 64~71 %의 드레인 효율, 11.5~14.0 dB의 전력 이득을 보였다. LTE 신호 기반의 ACLR 측정에서는 79 W의 평균 출력 전력에서 42~49 %의 드레인 효율을 보였고 2.62 GHz를 제외한 전체 주파수 대역에서 -30 dBc 이하의 성능을 보였다.
본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT를 사용하여 LTE 밴드 7 대역에서 동작하는 S-대역 300 W급 내부 정합 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. 비선형 모델을 바탕으로 기본주파수 및 고조파에서 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션을 수행하여 최적 임피던스를 추출하였고, 세라믹 패키지 내부에 고조파 임피던스를 튜닝한 정합회로가 적용되었다. 비유전율 40의 고유전율 기판과 RF35TC PCB 기판을 사용하여 제작된 내부 정합 전력증폭기는 펄스 주기 1 ms, 듀티 10 %의 펄스 모드 조건에서 전력 성능이 측정되었으며, 2.62~2.69 GHz에서 257~323 W의 최대 출력 전력과 64~71 %의 드레인 효율, 11.5~14.0 dB의 전력 이득을 보였다. LTE 신호 기반의 ACLR 측정에서는 79 W의 평균 출력 전력에서 42~49 %의 드레인 효율을 보였고 2.62 GHz를 제외한 전체 주파수 대역에서 -30 dBc 이하의 성능을 보였다.
Herein, an S-band internally-matched power amplifier that shows a power capability of 300 W in a Long Term Evolution(LTE) band 7 is designed and fabricated using a CGHV40320D GaN HEMT from Wolfspeed. Based on the nonlinear model, the optimum source and load impedance are extracted from the source-pu...
Herein, an S-band internally-matched power amplifier that shows a power capability of 300 W in a Long Term Evolution(LTE) band 7 is designed and fabricated using a CGHV40320D GaN HEMT from Wolfspeed. Based on the nonlinear model, the optimum source and load impedance are extracted from the source-pull and load-pull simulations at the fundamental and harmonic frequencies, and the harmonic impedance tuning circuits are implemented inside a ceramic package. The internally matched power amplifier, which is fabricated using a thin-film substrate with a high relative permittivity of 40 and an RF35TC PCB substrate, is measured at the pulsed condition with a pulse period of 1 ms and a duty cycle of 10%. The measured results show a maximum output power of 257~323 W, a drain efficiency of 64~71%, and a power gain of 11.5~14.0 dB at 2.62~2.69 GHz. The LTE-based measurement shows a drain efficiency of 42~49% and an ACLR of less than -30 dBc(excluding 2.62 GHz) at an average power of 79 W.
Herein, an S-band internally-matched power amplifier that shows a power capability of 300 W in a Long Term Evolution(LTE) band 7 is designed and fabricated using a CGHV40320D GaN HEMT from Wolfspeed. Based on the nonlinear model, the optimum source and load impedance are extracted from the source-pull and load-pull simulations at the fundamental and harmonic frequencies, and the harmonic impedance tuning circuits are implemented inside a ceramic package. The internally matched power amplifier, which is fabricated using a thin-film substrate with a high relative permittivity of 40 and an RF35TC PCB substrate, is measured at the pulsed condition with a pulse period of 1 ms and a duty cycle of 10%. The measured results show a maximum output power of 257~323 W, a drain efficiency of 64~71%, and a power gain of 11.5~14.0 dB at 2.62~2.69 GHz. The LTE-based measurement shows a drain efficiency of 42~49% and an ACLR of less than -30 dBc(excluding 2.62 GHz) at an average power of 79 W.
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문제 정의
본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT를 사용하여 패키지 내부의 고조파 정합과 외부의 임피던스 정합을 통해 LTE 기지국용 S-대역 전력증폭기를 설계하고 제작한 결과를 제공한다. 증폭기의 설계를 위해 비선형 트랜지스터 모델을 사용한 기본주파수(fo) 및 고조파(nfo) 로드풀 시뮬레이션을 수행하였고 기본주파수 및 2차 고조파에서의 최적 임피던스를 추출하였다.
가설 설정
따라서 2차 고조파 임피던스를 튜닝할 경우, 전력 성능이 보다 향상됨을 알 수 있다[6],[7]. 본 논문에서는 3차 고조파에 의한 튜닝은 다루지 않았다. 이는 논문에 사용된 소자 CGHV40320D의 유효 동작 주파수 범위가 4 GHz로 낮아 3차 고조파 이상에서는 대신호 출력 및 효율 성능의 향상 정도가 2차 고조파 튜닝의 경우보다 1/2 정도로 작고, 시뮬레이션 결과의 신뢰도도 낮을 것으로 예상되었기 때문이다.
제안 방법
PCB 기반의 입출력 임피던스 정합회로는 간단한 구성만으로 50 Ω 정합을 할 수 있도록 설계하였다.
565 Ω의 출력 임피던스를 보였다. S-파라미터 시뮬레이션을 통하여 얻어진 입출력 임피던스의 공액 값을 소스풀과 로드풀 시뮬레이션을 위한 초기 값으로 설정하였다.
단위 입력 튜닝 회로는 와이어 본딩의 인덕턴스를 포함하며 2차 고조파에서 λ/4의 길이를 가지는 높은 임피던스 선로의 개방 스터브 2개를 사용함으로써 기본주파수에서 병렬 임피던스를 높여줌과 동시에 2차 고조파에서는 단락에 가깝도록 설계하였다.
패키지 내부의 공간 크기를 고려하여 설계된 개방 스터브는 접혀진 형태를 사용하였다. 단위 출력 튜닝 회로는 기본주파수의 임피던스를 외부 정합 시 유리한 임피던스 위치로 보냄과 동시에 2차 고조파에서의 임피던스를 2차 고조파 최적 출력 임피던스 영역에 위치시키도록 낮은 특성임피던스와 높은 특성 임피던스의 전송선로가 교번하여 배치되는 계단형 임피던스 변환 회로로 설계되었다. 그림 7은 와이어 본딩 및 박막공정으로 설계된 단위 출력 튜닝 회로에 의한 임피던스 변환을 단계별로 보여주고 있다.
본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT bare die를 사용하여 LTE 기지국용 S-대역 300 W급 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 회로 크기의 소형화를 위해 고유전율 기판에 2차 고조파 튜닝을 위한 회로를 제작하였다.
설계에 사용된 트랜지스터는 내부에 병렬로 8개의 단위 셀을 가지므로 각 셀에 균등한 고조파 튜닝 효과를 주기 위해 8개의 동일한 단위 튜닝 회로를 적용하였다. 단위 입력 튜닝 회로는 와이어 본딩의 인덕턴스를 포함하며 2차 고조파에서 λ/4의 길이를 가지는 높은 임피던스 선로의 개방 스터브 2개를 사용함으로써 기본주파수에서 병렬 임피던스를 높여줌과 동시에 2차 고조파에서는 단락에 가깝도록 설계하였다.
설계에 앞서 CGHV40320D HEMT의 모델을 분석하고 Keysight ADS를 통해 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션을 수행하였다. 제작된 전력증폭기는 효율 및 선형성을 동시에 필요로 하는 전력증폭기이므로 AB급 바이어스 조건인 Vds=50 V, Ids=500 mA(Vgs=-2.
로드풀 시뮬레이션에서는 소스풀 시뮬레이션과는 반대로 소스 임피던스는 고정되며, 부하 임피던스 튜너가 설정된 임피던스로 바뀌며 전력 성능과 효율을 측정한다. 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션에서는 각각 고정되어진 소스 및 부하의 임피던스 값에 따라 결과가 다르게 나오게 되므로 소스풀과 로드풀 시뮬레이션을 반복하여 최적 소스와 부하임피던스를 찾았으며, 그 결과를 그림 4에 나타내었다.
소스풀 및 로드풀 시뮬레이션은 ADS를 통하여 수행되었으며, 초기 조건으로 게이트 전압 -2.73 V, 드레인 전압 50 V, 주파수 2.65 GHz에서 입력전력 40 dBm의 신호를 사용하였다. 소스풀 시뮬레이션에서는 부하의 임피던스가 고정되며, 소스 임피던스 튜너가 수식에 의해서 설정된 임피던스로 바뀌면서 전력 성능과 효율을 계산한다.
유전율 40을 갖는 Titanate 재질의 기판에 박막 공정된 2차 고조파 튜닝 회로와 GaN HEMT를 AuSn(20/80) 유테틱 공정을 사용하여 Cu/Mo70Cu/Cu(CPC141) 재질의 캐리어에 부착하였으며, 직경 1 mil의 웻지(wedge) 와이어 본딩을 사용하여 칩과 박막 기판, 박막 기판과 패키지 입출력 회로를 연결하였다. 패키징된 소자와 외부 PCB 정합 회로가 포함된 전력증폭기의 제작 사진이 그림 9에 나타나 있다.
입출력 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 고려된 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션으로부터 추출된 소자의 최적 소스 및 부하 임피던스를 구현하기 위해 패키지 내부의 고조파 입출력 튜닝 회로와 패키지 외부의 기본주파수 정합회로로 구성하였다. 2차 고조파 튜닝 회로를 사용하여 제작된 내부 정합 전력증폭기를 그림 6에 나타내었다.
제작된 전력증폭기의 선형성을 확인하기 위해 10 MHz의 대역폭과 7 dB의 Peak-to-Average Power Ratio(PAPR) 값을 가지는 LTE 신호를 인가하여 인접채널누설비(Adja- cent Channel Leakage Ratio: ACLR)를 측정하였다. 그림 12는 LTE 신호 입력 조건에서의 전력 성능 측정 결과를 보여주고 있으며, 79 W(49 dBm)의 평균 출력 전력에서 42～49 %의 드레인 효율을 보였으며, 2.
본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT를 사용하여 패키지 내부의 고조파 정합과 외부의 임피던스 정합을 통해 LTE 기지국용 S-대역 전력증폭기를 설계하고 제작한 결과를 제공한다. 증폭기의 설계를 위해 비선형 트랜지스터 모델을 사용한 기본주파수(fo) 및 고조파(nfo) 로드풀 시뮬레이션을 수행하였고 기본주파수 및 2차 고조파에서의 최적 임피던스를 추출하였다. 임피던스 정합회로는 박막 공정 및 후막 공정을 사용하여 설계 및 제작되었으며, 세라믹 패키지에 실장 가능하도록 소형의 캐리어에서 조립되었다.
출력 정합회로에는 λ/4 스터브 역할을 수행하는 DC바이어스 회로가 마이크로스트립 라인을 사용하여 구현되었으며, 입력 정합회로에는 전력증폭기의 안정도를 높이기 위해 직렬 저항을 게이트 바이어스 선로에 삽입하였고 RF 입력 단자 쪽으로는 병렬 RC 회로를 직렬로 연결하였다.
패키지 내부의 2차 고조파 튜닝을 위해 2차 고조파에 대해 λ/4 값을 가지는 접혀진 개방 스터브 2개를 입력 정합회로에 적용하였고, 낮은 특성임피던스와 높은 특성임피던스의 전송선로를 번갈아 배치한 계단형 임피던스 변환회로를 출력 정합회로에 적용하였다.
본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT bare die를 사용하여 LTE 기지국용 S-대역 300 W급 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 회로 크기의 소형화를 위해 고유전율 기판에 2차 고조파 튜닝을 위한 회로를 제작하였다. 패키지 내부의 2차 고조파 튜닝을 위해 2차 고조파에 대해 λ/4 값을 가지는 접혀진 개방 스터브 2개를 입력 정합회로에 적용하였고, 낮은 특성임피던스와 높은 특성임피던스의 전송선로를 번갈아 배치한 계단형 임피던스 변환회로를 출력 정합회로에 적용하였다.
대상 데이터
설계에 앞서 CGHV40320D HEMT의 모델을 분석하고 Keysight ADS를 통해 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션을 수행하였다. 제작된 전력증폭기는 효율 및 선형성을 동시에 필요로 하는 전력증폭기이므로 AB급 바이어스 조건인 Vds=50 V, Ids=500 mA(Vgs=-2.73 V)를 기준으로 시뮬레이션을 수행하였으며 소자의 I-V 특성 그래프를 그림 2에 나타내었다. 그림 3은 50 V의 드레인 전압과, -2.
데이터처리
62 GHz에서 주기 1 ms, 듀티 사이클 10 %를 가지는 펄스 입력 조건에서 측정한 전력 성능 측정 결과를 보여준다. 전력 측정은 2.62 GHz, 2.65 GHz, 2.69 GHz에서 입력 전력에 따른 출력 전력을 측정하였으며, 표 5에서 입력 전력 40 dBm에서의 설계 결과와 측정 결과를 비교하였다. 전력 성능을 측정한 결과, 2.
성능/효과
확대된 스미스 차트 그림에서 점선 원에 해당하는 영역이 전력부가효율의 값이 가장 높은 영역이며, 임피던스의 변화에 대해 효율 값의 변화가 적어 드레인의 2차 고조파 최적 임피던스 영역으로 볼 수 있다. 2차 고조파 부하 임피던스가 점선으로 표시된 최적 임피던스 영역 안의 임피던스로 구현될 때 약 360 W의 최대 출력 전력과 77 %의 효율을 보였다. 따라서 2차 고조파 임피던스를 튜닝할 경우, 전력 성능이 보다 향상됨을 알 수 있다[6],[7].
69 GHz에서 약 17 dB의 선형 이득을 얻었으며, 주기 1 ms, 듀티 사이클 10 %의 펄스 입력 전력 조건에서 257～ 323 W의 출력 전력과 64～71 %의 우수한 드레인 효율 특성을 확인하였다. LTE 신호 입력 조건에서 약 79 W의 평균 출력 전력, 42～49 %의 드레인 효율을 가졌으며, -30 dBc 이하의 ACLR 값이 측정되어 선형성 또한 양호한 특성을 보였다. 개발된 전력증폭기는 통신 기지국용 전력증폭 시스템에 효과적으로 활용될 것이다.
Wolfspeed사의 비선형 등가모델을 사용하여 50 V의 드레인 전압과 -2.73 V의 게이트 전압 조건에서 S-파라미터를 확인하였으며 이 때 2.65 GHz에서 0.437-j0.832 Ω의 입력 임피던스와 2.183-j4.565 Ω의 출력 임피던스를 보였다.
1 mm의 크기를 가지며 4 GHz까지의 동작주파수 허용 범위와 150 V의 드레인 항복전압을 가진다. 또한 트랜지스터 기준으로 최대 320 W의 포화 출력 전력, 65 %의 전력부가효율 및 4 GHz에서 19 dB의 선형 이득을 보인다.
73 V의 게이트 전압 조건에서 CGHV40320D의 최대 가용이득과 안정도 지수 k의 값을 나타내었다. 시뮬레이션 결과 2.65GHz에서 23.5 dB의 최대 가용이득 및 1 이하의 안정도 지수 k를 보였다. 따라서 입력단 DC 바이어스 선로에 직렬 저항을 추가하거나 입력 정합회로에 RC 병렬회로를 삽입하는 안정화 작업이 필요함을 알 수 있다.
0 dB를 나타냈다. 입력 전력 40 dBm에서 출력 전력의 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교해 본 결과 설계와 측정의 오차는 0.8 dB 이내의 값을 보였으며, 전력 이득과 드레인 효율 또한 비슷한 값을 보였다.
69 GHz에서 입력 전력에 따른 출력 전력을 측정하였으며, 표 5에서 입력 전력 40 dBm에서의 설계 결과와 측정 결과를 비교하였다. 전력 성능을 측정한 결과, 2.62～2.69 GHz에서 257～323 W의 출력 전력과 64～71 %의 드레인 효율(62～69 %의 전력부가효율)을 보였으며, 전력 포화 조건에서 전력 이득은 11.5～14.0 dB를 나타냈다. 입력 전력 40 dBm에서 출력 전력의 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교해 본 결과 설계와 측정의 오차는 0.
그림 10은 드레인 전압 50 V, 바이어스 전류 500 mA의 조건에서 측정한 S-파라미터 결과(실선)를 시뮬레이션 결과(점선)와 비교하고 있다. 전력증폭기의 측정된 이득은 대역 내에서 설계 값보다 약 3 dB 감소된 17 dB의 결과를 보였고, 입력 반사손실은 10 dB 이상의 값을 보였지만 시뮬레이션 결과와 다르게 주파수가 약 40 MHz 상향 이동되어 나타나는 특성을 보였다.
패키지 내부의 2차 고조파 튜닝을 위해 2차 고조파에 대해 λ/4 값을 가지는 접혀진 개방 스터브 2개를 입력 정합회로에 적용하였고, 낮은 특성임피던스와 높은 특성임피던스의 전송선로를 번갈아 배치한 계단형 임피던스 변환회로를 출력 정합회로에 적용하였다. 측정 결과, 2.62～2.69 GHz에서 약 17 dB의 선형 이득을 얻었으며, 주기 1 ms, 듀티 사이클 10 %의 펄스 입력 전력 조건에서 257～ 323 W의 출력 전력과 64～71 %의 우수한 드레인 효율 특성을 확인하였다. LTE 신호 입력 조건에서 약 79 W의 평균 출력 전력, 42～49 %의 드레인 효율을 가졌으며, -30 dBc 이하의 ACLR 값이 측정되어 선형성 또한 양호한 특성을 보였다.
후속연구
LTE 신호 입력 조건에서 약 79 W의 평균 출력 전력, 42～49 %의 드레인 효율을 가졌으며, -30 dBc 이하의 ACLR 값이 측정되어 선형성 또한 양호한 특성을 보였다. 개발된 전력증폭기는 통신 기지국용 전력증폭 시스템에 효과적으로 활용될 것이다.
질의응답
핵심어
질문
논문에서 추출한 답변
본 논문에서 제안한 LTE 기지국용 S-대역 300 W급 전력증폭기를 설계했을 때 어떤 결과를 얻을 수 있는가?
69 GHz에서 입력 전력에 따른 출력 전력을 측정하였으며, 표 5에서 입력 전력 40 dBm에서의 설계 결과와 측정 결과를 비교하였다. 전력 성능을 측정한 결과, 2.62～2.69 GHz에서 257～323 W의 출력 전력과 64～71 %의 드레인 효율(62～69 %의 전력부가효율)을 보였으며, 전력 포화 조건에서 전력 이득은 11.5～14.0 dB를 나타냈다. 입력 전력 40 dBm에서 출력 전력의 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교해 본 결과 설계와 측정의 오차는 0.8 dB 이내의 값을 보였으며, 전력 이득과 드레인 효율 또한 비슷한 값을 보였다.
반도체 소자 전력증폭기로 대체되고 있는 이유는 무엇인가?
신호 전송의 품질을 높이면서 광역의 셀 커버리지를 수행하는 셀룰러 이동통신용 기지국에 사용되는 전력증폭기는 고선형성, 고효율, 고출력을 요구하고 있다. 과거에는 초고주파 대역에서 높은 출력을 낼 수 있는 증폭기로 진행파관 증폭기 또는 마그네트론 등이 사용되었으나, 수 kV에 해당하는 높은 구동 전압과 긴 구동 준비 시간, 큰 부피와 낮은 신뢰성으로 인해 최근에는 반도체 소자 전력증폭기(solid state power amplifier)로 대체되고 있는 추세이다[1]. 반도체 소자 전력증폭기에 사용되는 대표적인 능동소자로는 Si Bipolar Junction Transistor(BJT), Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor(LDMOS) Transistor, GaAs Heterojunction Bipolar Transistor(HBT)나 pseudomor- phic High Electron Mobility Transistor(pHEMT), GaN High Electron Mobility Transistor(HEMT) 등이 있으며, 그 중에서도 높은 항복전압과 고속의 전자 이동 속도, 그리고 우수한 열전도도를 갖는 GaN HEMT는 다른 능동소자들에 비해 보다 높은 주파수에서 우수한 효율과 전력밀도를 제공할 수 있어 많은 연구가 진행되어 왔다[2]～[4].
GaN HEMT의 특징은 무엇인가?
과거에는 초고주파 대역에서 높은 출력을 낼 수 있는 증폭기로 진행파관 증폭기 또는 마그네트론 등이 사용되었으나, 수 kV에 해당하는 높은 구동 전압과 긴 구동 준비 시간, 큰 부피와 낮은 신뢰성으로 인해 최근에는 반도체 소자 전력증폭기(solid state power amplifier)로 대체되고 있는 추세이다[1]. 반도체 소자 전력증폭기에 사용되는 대표적인 능동소자로는 Si Bipolar Junction Transistor(BJT), Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor(LDMOS) Transistor, GaAs Heterojunction Bipolar Transistor(HBT)나 pseudomor- phic High Electron Mobility Transistor(pHEMT), GaN High Electron Mobility Transistor(HEMT) 등이 있으며, 그 중에서도 높은 항복전압과 고속의 전자 이동 속도, 그리고 우수한 열전도도를 갖는 GaN HEMT는 다른 능동소자들에 비해 보다 높은 주파수에서 우수한 효율과 전력밀도를 제공할 수 있어 많은 연구가 진행되어 왔다[2]～[4].
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