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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.23 no.5, 2010년, pp.358 - 363
배재현 (부산대학교 기계공학부 정밀가공시스템) , 이현섭 (부산대학교 기계공학부 정밀가공시스템) , 박재홍 , 니시자와 히데키 , 키노시타 마사하루 , 정해도 (부산대학교 기계공학부)
The polishing pad is important element for polishing characteristic such as material removal rate(MRR) and within wafer non-uniformity(WIWNU) in the chemical mechanical planarization(CMP). The result of the viscoelasticity measurement shows that 1st elastic modulus is increased and 2nd elastic modul...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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CMP 공정에 사용되는 연마 패드의 역할은? | CMP 공정에 사용되는 연마 패드(pad)는 웨이퍼(wafer)에 가해지는 가공압력을 지지해주며 슬러리(slurry)를 웨이퍼 면내로 전달시켜주는 역할을 한다[2]. 그리고 슬러리 속에 포함되어 있는 연마 입자를 웨이퍼 표면에 대해 수직으로 가압하고 수평으로 구름운동을 시켜 원활한 연마가 일어나도록 한다 [3]. | |
화학기계적평탄화란? | 화학기계적평탄화(chemical mechanical planarization; CMP)는 다층, 고집적 반도체에 필수적으로 적용되는 공정기술이다 [1]. | |
CMP 공정에 사용되는 연마 패드는 어떤 거동을 보이는가? | 이러한 기능을 하는 패드는 주어진 하중에 대해 고분자 물질의 거동 특성인 탄성 거동과 점탄성 거동을 보이며 [4], 연마작용 동안 웨이퍼에 직접적으로 접촉을 하여 연마결과에 영향을 미치게 된다. 그러므로 웨이퍼의 연마율(removal rate)이나 연마 불균일도(within wafer non-uniformity; WIWNU)는 패드의 거동특성에 지배적인 영향을 받게 된다. |
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