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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.9 no.1, 2010년, pp.29 - 33
김종욱 (청주대학교 전자공학과) , 황창수 (공군사관학교) , 김홍배 (청주대학교 전자정보공학부)
Recently, the growth of ZnO thin film on glass substrate has been investigated extensively for transparent thin film transistor. We have studied the phase transition of ZnO thin films from metal to semiconductor by changing RF power in the deposition process by RF magnetron sputtering system. The st...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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투명박막트랜지스터의 특징은 무엇인가? | 비정질 실리콘 기반의 박막 트랜지스터는 낮은 전계 효과 이동도를 가지며 광학적으로 불투명한 특성을 갖기 때문에 이를 대체하기 위해 차세대 디스플레이로의 응용을 위한 높은 이동도, 저온 다결정 실리콘 공정, 유기 물질을 이용한 박막 트랜지스터, 그리고 산화물반도체를 이용한 투명박막 트랜지스터에 대한 연구가 이루어지고 있다[1,2]. 투명박막트랜지스터는 넓은 밴드갭 에너지를 갖는 산화물 반도체를 채널로서 이용하며 이들은 비정질 실리콘이나 유기 물질을 이용한 박막 트랜지스터에 비하여 높은 이동도를 가질 뿐만 아니라, 광학적으로도 투명한 특성을 갖는다. 따라서 기존의 비정질 실리콘이 가진 낮은 이동도와 광학적 불투명성, 그리고 유기물을 바탕으로 한 트랜지스터의 낮은 내구성과 신뢰성 문제점을 해결할 수 있다. | |
ZnO 박막의 장점은 무엇인가? | ZnO는 이런 관점에서 가장 주목을 받고 있는 물질이다[5]. ZnO 박막은 ZnSe(20 meV), GaN(28 meV)에 비해 2배 이상의 높은 엑시톤 결합 에너지(60 meV) 를가지고 있어서 실온에서도 고효율의 발광을 얻을 수있는 물질이다[6]. 또한 ZnO는 3. | |
ZnO 박막제작 방법 중 RF magnetron sputtering의 장점은 무엇인가? | ZnO 박막제작은 molecular beam epitaxy, RF magnetron sputtering, chemical vapor deposition, Sol-gel 그리고 pulsed laser deposition 등 매우 다양한 방법으로 연구되고 있다[7-11]. 이 방법들 가운데 RF magnetron sputtering은 현재 반도체 공정에서 가장 많이 쓰이는 방법 중의 하나로 장치가 간단하며, 높은 증착률과 넓은 면적의 막을 얻을 수 있는 장점이 있다. |
Wang, Z. Y., Hu, L. Z., Zhao, J., Sun, J., Wang, Z.J. "Effect of the variation of temperature on the structural and optical properties of AZO thin films prepared on Si (1 1 1) substrates using PLD", Vacuum, Vol. 78, pp. 53-57, 2005.
Choi, B. K., Chang, D. H., Yoon, Y. S., Kang, S. J. "Optical characterization of AZO thin films deposited by Sol-gel Method", J. Mater. Sci: Mater. Electron, Vol. 17, pp. 1011-1015, 2006.
Tun, C. J., Sheu, J. K., Pong, B. J., Lee, M.L., Hsieh, C. K., Hu, C. C., Chi, G. C. "Enhanced Light Output of GaN-ased Power LEDs With Transparent Al-Doped AZO Current Spreading Layer", IEEE Photon. Technol. Lett, Vol. 18, pp.274-276, 2006.
Kuo, S. Y., Chen, W. C., Lai, F. I. "Effects of Doping Concentration and Annealing Temperature on Properties of Highly-oriented Al-dopoed AZO films", J. Cryst. Growth, Vol. 287, pp. 78-84, 2006.
Zafar, S., Ferekides, C.S., Morel, D.L. "Characterization and analysis of AZO:Al deposited by reactive magnetron sputtering", J. Vac. Sci. Technol. Vol. A13, No4, pp. 2177-2182, 1955.
Kang, T. D., Lee, H. S., Park, W. I., Yi, G. C. "Spectroscopic Ellipsometric Study of AZO and Zn1xMgxO Thin Films Grown on (0001) Sapphire Substrate", J. Korean Pyhs. Soc, Vol. 44, pp. 129-133, 2004.
Wang, M. S., Kim, E. J., Chung, J. S., Shin, E. W., Hahn, S. H., Lee, K. E., Park, C. H. "Influence of annealing Temperature on the Structural and Optical Properties of Sol-gel Prepared AZO Thin Films", Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 203, pp. 2418-2425, 206.
Kim, K. H., Park, K. C., Ma, D. Y., "Structural, electrical and optical properties of aluminum doped zinc oxide films prepared by radio frequency magnetron sputtering", J. Appl. Phys, Vol. 81, pp. 7764-7772, 1997.
Zhang, Y., Du, G., Liu, B. "Effect of AZO Buffer Layer thickness on properties of AZO thin films deposited by low pressure MOCVD", J. Cryst. Growth, Vol. 262, pp. 456-460, 2004.
Kong, D. H., Choi, W. C., Shin, Y. C., Park, J. H., Kim, T. G. "Role of oxygen in green emission from AZO thin films", J. Korean. Phys. Soc, Vol. 48, pp. 1214-1217, 2006.
Bagnall, D. M., Chen, Y. F., Shen, M. Y., Zhu, Z., Goto, T., Yao, T. "Room temperature excitonic stimulated emission from Znic Oxide epilayers grown by plasma-assisted MBE", J. Cryst. Growth, Vol. 184/185, pp. 605-609, 1998.
Cullity, B. D., Elements of X-ray Diffractions, Addison-Wesley, Reading, MA, pp. 102, 1978.
Park, Y. W., Shin, H. Y., Park, J. H., Chang, C. Y., Sim, S. H., Choi, J. W., Yoon, S. J., Kim, H. J., Kim, H. J. "A study on the ZnO thin film SAW filter by TF sputter", J.of KIEEME, Vol.14, No.6, pp.481-486, 2001.
Yamada, T., Morizane, T., Arimitsu, T., Miyake, A., Makino, H., Yamamoto, N., Yamamoto, T., "Application of low resistivity Ga-doped ZnO films to transparent electromagnetic interference shielding material", Thin solid films, Vol. 517, pp. 1027-1031, 2008.
Chen, X., Guan, W., Fang, G., Zhao, X. Z. "Influence of substrate temperature and post-treatment on the properties of AZO:Al thin films prepared by pulsed laser deposition", Appl. Surf. Sci, Vol. 252, pp. 1561-1567, 2005.
Semelius, B. E., Berggren, K. F., Jin, Z. C., Hamberg, I., Granqvist, C. G. "Band gap tailoring of AZO by means of heavy Al doping", Phys. Rev. B, Vol. 37, pp. 10244-10248, 1988.
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