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ZnO nanostructures were grown on an Au seed layer by a hydrothermal method. The Au seed layer was deposited by ion sputter on a Si (100) substrate, and then the ZnO nanostructures were grown with different precursor concentrations ranging from 0.01 M to 0.3M at $150^{\circ}C$ and differen...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  • Au 씨앗층 위에 성장된 ZnO 나노구조의 전구체 용액 농도 및 성장온도에 따른 구조적, 광학적 특성을 평가하였다. 전구체 용액 농도가 0.
  • ZnO 나노구조가 성장된 기판을 탈이온수로 세척하였으며 질소가스로 건조하였다. ZnO 나노구조의 성장 온도 및 전구체 용액 농도에 따른 구조적 특성을 분석하기 위해 XRD (X-ray diffraction)와 FE-SEM (field-emission scanning electron microscopy)을 사용하였고, 광학적 특성평가를 위하여 He-Cd laser를 사용하여 실온에서 PL (photoluminescence) 측정을 하였다.
  • 본 연구에서는 Si(100) 기판 위에 ion sputter로 Au 씨앗층을 증착한 후, ZnO 나노구조는 수열합성법으로 성장 온도 및 전구체 용액 농도를 변화시켜 성장하였다. 그리고 합성조건을 변화시켜 성장한 ZnO 나노구조의 구조적, 광학적 특성을 평가하였다.
  • 본 연구에서는 Si(100) 기판 위에 ion sputter로 Au 씨앗층을 증착한 후, ZnO 나노구조는 수열합성법으로 성장 온도 및 전구체 용액 농도를 변화시켜 성장하였다. 그리고 합성조건을 변화시켜 성장한 ZnO 나노구조의 구조적, 광학적 특성을 평가하였다.
  • 성장온도에 따른 ZnO 나노구조의 특성 실험을 위해서 Zinc nitrate hexahydrate (Zn(NO3)2·6H2O)와 Hexamethylenetetramine (HMT-C6H12N4)를 1:1의 몰 비율로 혼합하고, 탈이온수와의 혼합비율을 조절하여 0.3 M의 용액을 만들었다.
  • 기판은 황산(H2SO4)과 과산화수소수(H2O2)를 4:1의 비율로 혼합한 용액으로 110℃에서 15 분간 세척한 뒤, 탈이온수(Deionized water)에서 5 분간 세척하였으며, 5% 불산(HF) 용액에서 1 분간 세척한 뒤 다시 탈이온수에서 5 분간 세척하였다. 세척한 기판에 Ion sputter를 사용하여 5 nm의 Au 씨앗층을 증착한 후 수열합성법으로 ZnO 나노구조를 성장하였다. 전구체 용액 농도에 따른 ZnO 나노구조의 특성 실험을 위해서 Zinc nitrate hexahydrate (Zn(NO3)2·6H2O)와 Hexamethylenetetramine (HMT-C6H12N4)를 1:1의 몰 비율로 혼합하고, 탈이온수와의 혼합비율을 조절하여 0.
  • 3 M의 용액을 만들었다. 수열합성 반응기(autoclave) 안에 기판과 용액을 넣고 각각 100℃, 150℃, 250℃에서 2시간 동안 ZnO 나노구조를 성장하였다. ZnO 나노구조가 성장된 기판을 탈이온수로 세척하였으며 질소가스로 건조하였다.
  • 전구체 용액 농도에 따른 ZnO 나노구조의 특성 실험을 위해서 Zinc nitrate hexahydrate (Zn(NO3)2·6H2O)와 Hexamethylenetetramine (HMT-C6H12N4)를 1:1의 몰 비율로 혼합하고, 탈이온수와의 혼합비율을 조절하여 0.05 M에서 0.5 M의 다양한 농도를 갖는 용액을 만들었다.

대상 데이터

  • ZnO 나노구조를 성장하기 위해 p-type Si(100) 기판을 사용하였다. 기판은 황산(H2SO4)과 과산화수소수(H2O2)를 4:1의 비율로 혼합한 용액으로 110℃에서 15 분간 세척한 뒤, 탈이온수(Deionized water)에서 5 분간 세척하였으며, 5% 불산(HF) 용액에서 1 분간 세척한 뒤 다시 탈이온수에서 5 분간 세척하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ZnO은 무엇이며 어떤 특성이 있는가? ZnO는 II-VI족 화합물 반도체로 wurtzite 결정구조이며 실온(room temperature)에서 3.37 eV의 넓은 밴드갭(bandgap)과 60 meV의 높은 엑시톤결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 물질로써 UV (ultraviolet) 파장의 발광이 가능하다.1,2) 이러한 특성으로 인하여 ZnO는 반도체 저항 소자, LED (light emitting diode), LD (laser diode), FED (field emission display), TFT (thin film transistor), 센서 등의 분야에서 많은 연구가 진행되고 있으며 향후 차세대 신기능 소자 개발에 커다란 기여를 할 수 있으리라 예상되는 물질이다.
ZnO 나노구조의 성장을 위한 방법들의 단점과 문제점으로 인해 대체 방법으로 연구된 것은? 이러한 문제점으로 인해 저온에서 ZnO 나노구조를 쉽게 성장 할 수 있는 대체 방법들이 연구 되어 있다.12-15) 이 중 수열합성법(hydrothermal method)은 제조공정이 간단하고 저온에서 ZnO 나노구조를 성장할 수 있어 대량생산이 가능하며 도핑 및 화학적 조성을 조절하기가 용이하다.16) 수열 합성 시 합성조건을 달리하면 다양한 구조 및 밀도를 가지는 ZnO가 합성되며, 이러한 구조 및 밀도는 ZnO의 광학적, 전기적 특성에 직접적으로 영향을 끼친다.
ZnO 나노구조의 성장을 위한 방법에는 어떤 것들이 있는가? 3-5) 이처럼 많은 분야에 응용 가능성이 있기 때문에 양질의 ZnO 결정을 성장하기 위한 방법과 물성 연구가 활발하게 진행 되고 있다. ZnO 나노구조의 성장을 위한 방법에는 화학기상증착법(chemical vapor deposition),6) 열증착법(thermal evaporating),7) 분자 선에피택시(molecular beam epitaxy),8) 스퍼터링(sputtering),9) 펄스레이저증착법(pulsed laser deposition),10) 원자층증착법(atomic layer deposition)11) 등이 주로 이용되어 왔다. 그러나 이러한 합성방법들은 높은 온도, 높은 압력과 같은 성장 조건이 필요하고 비싼 장비 가격, 기판선택의 제한성, 대량생산의 어려움 등의 단점이 있다.
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참고문헌 (20)

  1. L. Vayssieres, K. Keis, A. Hagfeldt and S.-E. Lindquist, 

  2. Y. Chen, D. M. Bagnall, H. Koh, K. Park, K. Hiraga, Z. 

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  5. D. H. Levy, D. Freeman, S. F. Nelson, P. J. Cowdery- 

  6. J. J. Wu and S. C. Liu, Adv. Mater., 14(3), 215 (2002). 

  7. M. Qiu, Z. Ye, J. Lu, H. He, J. Huang, L. Zhu and B. 

  8. Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, B. S. Kang, F. Ren, 

  9. S. K. Han, S. K. Hong, H. Kim, J. W. Lee and J. Y. Lee, 

  10. X. M. Fan, J. S. Lian, Z. X. Guo and H. J. Lu, Appl. Surf. Sci., 239, 176 (2005). 

  11. E. Guziewicz, I. A. Kowalik, M. Godlewski, K. Kopalko, 

  12. S. Li, S. Zhou, H. Liu, Y. Hang, C. Xia, J. Xu, S. Gu 

  13. S. O’Brken, L. H. K. Koh and G. M. Crean, Thin Solid Films, 516, 1391 (2008). 

  14. J. M. Jang, J. Y. Kim and W. G. Jung, Thin Solid Films, 

  15. S. J. Kim, H. H. Kim, J. B. Kwon, J. G. Lee, B. H. O, 

  16. L. E. Greene, M. Law, H. Goldberger, F. Kim, J. C. 

  17. S. A. Studeninkin, N. Golego and M. Cocivera, J. Appl. Phys., 84(4), 2287 (1998). 

  18. M. S. Wang, E. J. Kim, J. S. Chung, E. W. Shin, S. H. 

  19. X. L. Wu, G. G. Siu, C. L. Fu and H. C. Ong, Appl. Phys. Lett., 78(16), 2285 (2001). 

  20. A. B. Djurisic, Y. H. Leung, K. H. Tam, Y. F. Hsu, L. Ding, 

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