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In order to design nano structured materials with enhanced thermoelectric properties, the alloys in the pseudo-binary $Bi_2Te_3$-PbTe system are investigated for their micro structure properties. For this synthesis, the liquid alloys are cooled by the water quenching method. Micro structu...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구는 Bi2Te3-PbTe의 혼합비에 따른 미세구조의 변화와 열전 특성에 대해 조사하였다. Bi2Te3의 함유량이 많아질수록 시편의 미세구조는 dendrite 구조에서 층상구조로 변화하였고, 시편 1의 경우 XRD 분석을 통해 PbBi2Te4의 모조상 위에 PbTe가 분포하고 있음을 확인 할 수 있었다.
  • 본 연구에서는 기존의 top down 방식의 나노구조 열전소재와는 달리 이종물질의 상 분리를 이용하여 자연나노구조의 열전소재를 제조하고자 하였다. 이를 위해 상온에서 최대의 열전성능을 보이는 Bi-Te계 물질과 중온영역에서 높은 열전성능을 보이는 PbTe를 일정비율로 합성하고 급냉법을 통하여 자연나노구조의 열전소재를 제조하였다.
  • 이를 위해 상온에서 최대의 열전성능을 보이는 Bi-Te계 물질과 중온영역에서 높은 열전성능을 보이는 PbTe를 일정비율로 합성하고 급냉법을 통하여 자연나노구조의 열전소재를 제조하였다. 이를 통하여 제조된 자연나노구조 열전소재의 구조적특성 및 열전성능을 분석하여 Bi2Te3와 PbTe 혼합비에 따른 특성 변화를 알아보고자 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
열전현상이란? 1821년 독일의 제벡 [1]이 열전 현상을 발견한 이후, 열전 특성을 이용한 연구는 그 역사와 함께 매우 다양한 방면으로 진행되어 왔다. 특히, 열전현상은 두 물질 사이에 전류를 인가함으로써 재료 접합부 양단에 발열 및 냉각이 이루어지거나 역으로 두 물질간의 온도차에 의해 기전력이 발생하는 현상으로 냉각소자개발과 열전 발전의 응용으로 많은 연구가 진행되고 있다 [2,3]. 1843년 펠티어에 의해 발견된 펠티어 효과는 전기 에너지를 열에너지로 변환이 가능함을 보여주었으며, 특히 냉각 소자의 개발에 가능성을 열어주었다.
열전소재는 전기전도도가 높고 열전도도가 낮은 반도체 재료가 주로 사용되는 이유는? 열전소재는 주로 전기전도도가 높고 열전도도가 낮은 반도체 재료가 주로 사용되고 있는데, 이는 열전 냉각 및 열전발전의 효율이 재료의 무차원 성능지수(dimensionless figure of merit), ZT에 크게 의존하기 때문이다.
열전소재의 구조변형을 통해 열전성능 지수를 높이고자 한 이유는? 그러나 열전 현상에서 가장 큰 문제점은 열전성능지수를 구성하는 제벡계수와 전기 전도도 및 열전도도가 상호 종속적이므로 독립적으로 제어될 수 없는 물질 상수라는 것이다. 이러한 문제점 개선의 일환으로 최근에는 열전소재의 구조변형 즉, 초격자, 나노구조 등을 통하여 열전성능 지수를 높이고자 하는 노력이 활발히 이루어지고 있다.
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참고문헌 (10)

  1. T. J. Seebeck, Abhandlugen der Deutschen Akademie der Akademie der Wissenschaften zu (Berlin, 1822) p. 265. 

  2. R. R. Heikes and R. W. Ure, Jr., Thermoelectricity:Science and Engineering (Interscience Pub., London 1961). 

  3. A. F. Ioffe, Semiconductor Thermoelements and Thermoelectric Cooling (Infosearch Ltd., London, 1957). 

  4. G. J. Snyder and E. S. Toberer, Nat. Mater. 7, 105(2008). 

  5. J. C. Caylor, K. Coonley, J. Stuart, T. Colpitts, and R. Venkatasubramanian, Appl. Phys. Lett. 87, 023105 (2005). 

  6. R. Venkatasubramanian, Phys. Rev. B 61, 3091 (2000). 

  7. J.-H. Kim, D.-Y. Jeong, B.-K. Ju, and J.-S. Kim, J. Appl. Phys. 100, 123501 (2006). 

  8. N. S. Golovanova, V. P. Zlomanov, and O. I. Tananaeva, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 19, 740 (1983). 

  9. R. Chami, G. Brun, J.-C. Tedenac, and M. Maurin, Rev. Chim. Miner. 20, 305 (1983). 

  10. T. Hirai, Y. Takeda, and K. Kurata, J. Less-Common Met. 13, 352 (1967). 

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