[논문]Design of P-N Junction Type Thin-Film Thermoelectric Device and their Device Characteristics

Kwon, Sung-Do; Song, Hyun-Cheol; Jeong, Dae-Yong; Yoon, Seok-Jin; Ju, Byeong-Kwon; Kim, Jin-Sang

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Design of P-N Junction Type Thin-Film Thermoelectric Device and their Device Characteristics
P-N Junction Type 박막열전소자제작 및 특성 원문보기

한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집, 2007 Nov. 01, 2007년, pp.142 - 142

Kwon, Sung-Do (Korea Institute of Science & Technology) , Song, Hyun-Cheol (Korea Institute of Science & Technology) , Jeong, Dae-Yong (Korea Institute of Science & Technology) , Yoon, Seok-Jin (Korea Institute of Science & Technology) , Ju, Byeong-Kwon (KOREA Univ.) , Kim, Jin-Sang (Korea Institute of Science & Technology)

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Micro thermoelectric generator has been attractive for the alternative power source to operate the wireless sensor node. In this paper, we designed the column-type micro thermoelectric device and their device characteristics were measured. n-type Bi2Te3 and p-type BiSbTe3 thermoelectric thin films were grown on (001) GaAs substrates by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) and they were pattemed. The height of thermoelectric film were controlled by the deposition time, temperature and MO-x gas pressure. Seebeck coefficient was measured at room temperature and hole concentration and electrical resistivity of thermoelectric film were also characterized.

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