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NTIS 바로가기센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.19 no.4, 2010년, pp.320 - 327
박재형 (단국대학교 전자전기공학부)
In this paper, electrostatically actuated direct contact type RF MEMS switches have been designed and demonstrated. As driving structures of the switch, cantilever, bridge, and torsion spring beam structures are used and the actuation voltage characteristics of the switches have been compared and di...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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RF MEMS의 목표는 무엇인가? | MEMS 기술을 초고주파 핵심 소자에 적용하고자 하는 RF MEMS 분야는 기존의 송수신 시스템 핵심 부품 제작 기술에 있어서, 스위치나 바랙터, 트랜지스터 등과 같이 외부 회로로 따로 부착되는 수동 및 능동 소자에서 발생되는 고주파 전기적 손실을 줄이고 선형성을 개선할 수 있는 동시에 집적화가 가능하여 기존 전기적 소자의 고주파 특성 열화를 해결할 수 있는 유력한 기술로서 많은 주목을 받고 있다. | |
RF MEMS가 전기적 소자의 고주파 특성 열화를 해결할 수 있는 유력한 기술로 주목을 받는 이유는 무엇인가? | MEMS 기술을 초고주파 핵심 소자에 적용하고자 하는 RF MEMS 분야는 기존의 송수신 시스템 핵심 부품 제작 기술에 있어서, 스위치나 바랙터, 트랜지스터 등과 같이 외부 회로로 따로 부착되는 수동 및 능동 소자에서 발생되는 고주파 전기적 손실을 줄이고 선형성을 개선할 수 있는 동시에 집적화가 가능하여 기존 전기적 소자의 고주파 특성 열화를 해결할 수 있는 유력한 기술로서 많은 주목을 받고 있다. | |
기존의 회로에서 RF 스위치를 구현하기 위해 GaAs FET 또는 PIN diode 소자를 이용했을 때의 단점은 무엇인가? | 기존의 회로에서는 RF 스위치를 구현하기 위해서 GaAs FET 나 혹은 PIN diode 등을 주로 이용하고 있다. 이러한 소자들은 저주파에서 좋은 특성을 가지지만 수 GHz 수준 이상의 높은 주파수 범위에서는 삽입 손실이 크고 신호 분리도 특성이 나쁜 단점이 있다. 또한 높은 주파수에서 소자의 선형성이 크게 저하되고 구동신호 인가 부분이 복잡해 지는 단점이 있다. MEMS기술을 이용한 초고주파 응용 RF MEMS 스위치는 이러한 단점을 개선할 수 있는 소자로서 활발히 연구가 진행되고 있다. |
D. Peroulis, S. Pacheco, K. Sarabandi, and L. P. B. Katehi, “Tunable lumped components with applications to reconfigurable MEMS filters”, IEEE MTT-S Dig., pp. 341-344, 2001.
J. H. Park, H. T. Kim, W. Choi, Y. Kwon, and Y. K. Kim, “V-band reflection type phase shifters using micromachined CPW coupler and RF switches”, Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 11, no. 6, pp. 808-814, 2002.
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A. Q. Liu, M. Tang, A. Agarwal, and A. Alphones, “Low-loss lateral micromachined switches for high frequency applications”, J. Micromech. and Microeng.,vol. 15, no. 1, pp. 157-167, 2005.
J. H. Park, S. Lee, J. M. Kim, Y. Kwon, and Y. K. Kim, “A 35-60 GHz single-pole double-throw (SPDT) switching circuit using direct contact MEMS switches and double resonance technique”, Proc. Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Workshop, pp. 1796-1799, 2003.
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