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정전 구동형 RF MEMS 스위치의 설계 및 제작에 관한 연구
A study on the design and fabrication of electrostatically actuatedRF MEMS switches 원문보기

센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.19 no.4, 2010년, pp.320 - 327  

박재형 (단국대학교 전자전기공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, electrostatically actuated direct contact type RF MEMS switches have been designed and demonstrated. As driving structures of the switch, cantilever, bridge, and torsion spring beam structures are used and the actuation voltage characteristics of the switches have been compared and di...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서 제안된 접촉식 스위치의 경우에는 신호 전달 특성과 같은 전기적 특성이 중요한 성능평가 요소이므로 구동부 구조물의 반복 구동에 따른 기계적 특성의 변화와 함께 구동 중에 생기는 점착 현상이나 반복 구동 후 발생하는 접촉부의 접촉 저항 변화 등이 스위치의 수명을 결정한다. 따라서 본 논문에서는 스위치를 반복 구동 시키면서 접촉 저항의 변화를 관찰하고 또한 구동부 구조체의 기계적 특성 변화 및 점착이 일어나는 시점을 판단하여 스위치의 수명을 평가하였다.
  • 본 논문에서는 고주파 대역의 무선 통신 송수신 시스템에 적용하기 위한 정전구동형 접촉식 RF MEMS스위치를 표면 미세 가공 기술을 이용하여 구현하였으며 제작된 스위치의 특성을 측정 및 분석하였다.
  • 본 논문에서는 구동부의 구조로서 양단 고정보(bridge) 및 외팔보(cantilever) 구조물 그리고 비틀림 스프링(torsional spring)구조를 각각 이용하여 정전력으로 구동되는 RF MEMS 스위치를 설계 및 제작하였으며, 각 스위치의 특성을 비교 분석하였다. 이를 통해 정전력 구동 RF MEMS 스위치의 설계 및 제작에 있어서 중요한 특성을 고찰하였으며 또한 본 논문에서 제안하는 스위치의 최적 구조를 제시하였다.

가설 설정

  • 또한 Fig. 8(b)와 같이 입력 전력이 큰 신호에서는 스위치가 ON인 상태에서 구동 전극에 바이어스 전압을 제거하여도 스위치가 OFF 상태로 되돌아오지 않게 된다(holding). 즉, 높은 전력의 신호에서 스위치의 구동 전극에 전압을 인가하지 않아도 저절로 스위치가 ON이 되거나 OFF 상태에서 다시 ON 상태로 돌아오지 않기 때문에 이 이상의 전력 신호를 전송할 수 없다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
RF MEMS의 목표는 무엇인가? MEMS 기술을 초고주파 핵심 소자에 적용하고자 하는 RF MEMS 분야는 기존의 송수신 시스템 핵심 부품 제작 기술에 있어서, 스위치나 바랙터, 트랜지스터 등과 같이 외부 회로로 따로 부착되는 수동 및 능동 소자에서 발생되는 고주파 전기적 손실을 줄이고 선형성을 개선할 수 있는 동시에 집적화가 가능하여 기존 전기적 소자의 고주파 특성 열화를 해결할 수 있는 유력한 기술로서 많은 주목을 받고 있다.
RF MEMS가 전기적 소자의 고주파 특성 열화를 해결할 수 있는 유력한 기술로 주목을 받는 이유는 무엇인가? MEMS 기술을 초고주파 핵심 소자에 적용하고자 하는 RF MEMS 분야는 기존의 송수신 시스템 핵심 부품 제작 기술에 있어서, 스위치나 바랙터, 트랜지스터 등과 같이 외부 회로로 따로 부착되는 수동 및 능동 소자에서 발생되는 고주파 전기적 손실을 줄이고 선형성을 개선할 수 있는 동시에 집적화가 가능하여 기존 전기적 소자의 고주파 특성 열화를 해결할 수 있는 유력한 기술로서 많은 주목을 받고 있다.
기존의 회로에서 RF 스위치를 구현하기 위해 GaAs FET 또는 PIN diode 소자를 이용했을 때의 단점은 무엇인가? 기존의 회로에서는 RF 스위치를 구현하기 위해서 GaAs FET 나 혹은 PIN diode 등을 주로 이용하고 있다. 이러한 소자들은 저주파에서 좋은 특성을 가지지만 수 GHz 수준 이상의 높은 주파수 범위에서는 삽입 손실이 크고 신호 분리도 특성이 나쁜 단점이 있다. 또한 높은 주파수에서 소자의 선형성이 크게 저하되고 구동신호 인가 부분이 복잡해 지는 단점이 있다. MEMS기술을 이용한 초고주파 응용 RF MEMS 스위치는 이러한 단점을 개선할 수 있는 소자로서 활발히 연구가 진행되고 있다.
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참고문헌 (6)

  1. D. Peroulis, S. Pacheco, K. Sarabandi, and L. P. B. Katehi, “Tunable lumped components with applications to reconfigurable MEMS filters”, IEEE MTT-S Dig., pp. 341-344, 2001. 

  2. J. H. Park, H. T. Kim, W. Choi, Y. Kwon, and Y. K. Kim, “V-band reflection type phase shifters using micromachined CPW coupler and RF switches”, Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 11, no. 6, pp. 808-814, 2002. 

  3. J. S. Hayden and G. M. Rebeiz, “Low-loss cascadable MEMS distributed X-band phase shifters”, IEEE Microwave and Guided Lett., vol. 10, no. 4, pp. 142-144, 2000. 

  4. J. J. Yao and M. F. Chang, “A surface micromachined miniature switch for telecommunications applications with signal frequencies from DC up to 4 GHz”, Proc. Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Workshop, pp. 384-387, 1995. 

  5. A. Q. Liu, M. Tang, A. Agarwal, and A. Alphones, “Low-loss lateral micromachined switches for high frequency applications”, J. Micromech. and Microeng.,vol. 15, no. 1, pp. 157-167, 2005. 

  6. J. H. Park, S. Lee, J. M. Kim, Y. Kwon, and Y. K. Kim, “A 35-60 GHz single-pole double-throw (SPDT) switching circuit using direct contact MEMS switches and double resonance technique”, Proc. Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Workshop, pp. 1796-1799, 2003. 

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