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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.9 no.2, 2010년, pp.1 - 6
정일현 (단국대학교 공과대학 화학공학과) , 채명식 (단국대학교 공과대학 화학공학과) , 이의암 (단국대학교 공과대학 화학공학과)
Star-like ZnO nanostructures were grown on SI(100) substrates with carbon(C) catalyst by employing vapor-solid(VS) mechanism. The morphologies and structure of ZnO nanostructures were investigated by Field emission scanning electron microscopy (FESEM), X-ray diffraction (XRD) and Raman spectrum, Pho...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ZnO이란? | 나노구조 물질은 크기 효과와 양자 구속 효과로 인하여 독특한 전기적광학적자기적 특성을 나타내므로 반도체 소자에 응용하기 위하여 폭넓은 연구가 진행되고 있다. 그 중에서도 ZnO의 경우, II-IV족화합물 반도체로 6방정계 부르자이트(hexagonal wurzite)의 결정 구조를 가지며, 비 저항이 결정성장 조건에 따라 10-4 Ωcm∼1025 Ωcm 까지 폭넓게 변하는 전형적인 n-type형 반도체이다. 특히 Zinc oxide(ZnO) 박막은 상온에서 3. | |
나노구조 물질은 어떤 특징이 있는가? | 나노구조 물질은 크기 효과와 양자 구속 효과로 인하여 독특한 전기적광학적자기적 특성을 나타내므로 반도체 소자에 응용하기 위하여 폭넓은 연구가 진행되고 있다. 그 중에서도 ZnO의 경우, II-IV족화합물 반도체로 6방정계 부르자이트(hexagonal wurzite)의 결정 구조를 가지며, 비 저항이 결정성장 조건에 따라 10-4 Ωcm∼1025 Ωcm 까지 폭넓게 변하는 전형적인 n-type형 반도체이다. | |
나노구조 물질 중 ZnO의 경우 어떤 장점이 있는가? | 그 중에서도 ZnO의 경우, II-IV족화합물 반도체로 6방정계 부르자이트(hexagonal wurzite)의 결정 구조를 가지며, 비 저항이 결정성장 조건에 따라 10-4 Ωcm∼1025 Ωcm 까지 폭넓게 변하는 전형적인 n-type형 반도체이다. 특히 Zinc oxide(ZnO) 박막은 상온에서 3.37 eV의 넓은 밴드갭 에너지와 60 meV의 높은 여기자 에너지(exciton binding energy) 때문에 자외선 영역에서의 특별한 발광특성을 나타낸다[1-2]. 또한 ZnSe(22 meV), GaN(25 meV)같은 다른 반도체보다 넓은 범위의 결합 에너지 (binding energies)를 가지며 상온에서 열에너지(thermal energy)가 26 meV로 이들보다 크다[2,4]. 따라서 상온에서 자외선(ultraviolet)을 얻을 수 있는 장점이 있는 물질이다. |
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