최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.9 no.4, 2010년, pp.25 - 29
We have investigated the effect of surface roughness of TCO substrate on the characteristics of OLED (organic light emitting diodes) devices. In order to control the surface roughness of AZO thin films, we have processed photo-lithography and reactive ion etching. The micro-size patterned mask was u...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
박막형 디스플레이 구성에 있어 무엇이 필수적인가? | 박막형 디스플레이 구성에 있어서 투명전극은 필수적인 요소로서 투명전극 재료에 대한 연구가 최근 활발히 진행 중이다[1]. 디스플레이 소자에 사용되는 투명전극은 정보를 표시하기 위한 빛을 소자 외부로 방출시키거나, 태양광 등을 소자 내부로 입사시켜야 한다. | |
투명전극이 정보를 표시하기 위해 무엇을 해야하는가? | 박막형 디스플레이 구성에 있어서 투명전극은 필수적인 요소로서 투명전극 재료에 대한 연구가 최근 활발히 진행 중이다[1]. 디스플레이 소자에 사용되는 투명전극은 정보를 표시하기 위한 빛을 소자 외부로 방출시키거나, 태양광 등을 소자 내부로 입사시켜야 한다. 따라서 전극을 형성하는 박막은 높은 광투과율과 ~10-4Ω cm 수준의 낮은 전기비저항을 가져야 한다. | |
Indium Tin Oxide의 문제점을 해결하기 위해 무엇이 연구 개발되고 있는가? | 또한 인듐 (In)의 독성, 저온증착의 어려움, 스퍼터링시 음이온 충격에 의한 막손상으로 저항의 증가 및 액정 디스플레이의 투명전극으로 사용될 경우 400℃ 정도의 높은 온도와 수소 플라즈마 분위기에서 장시간 노출 시 열화로 인한 광학적 특성변화가 문제점으로 지적되고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 대안으로써 ZnO 산화물 반도체를 이용한 투명전극 개발 연구가 진행되고 있으며, ITO를 대체할 수 있을 가능성이 보고되고 있다[2]. 하지만 ZnO 박막은 ITO박막과 비교하여 비저항이 높기 때문에 도핑을 이용하여 비저항을 ~10-4Ω cm 까지 낮추어야 한다. |
S. Kawamura, J. Sakurai, M. Nakano, and M. Takagi "Recrystallization of Si on amorphous substrates by doughnut-shaped cw Ar laser beam", Appl. Phys. Lett. 40, pp. 394, 1982.
J. Hinze, and K. Ellmer, "In situ measurement of mechanical stress in polycrystalline zinc-oxide thin films prepared by magnetron sputtering", J. Appl. Phys., 88, pp. 2443, 2000.
G.A. Hirata, J. McKittrick, T. Cheeks, J.M. Siqueiros, J.A. Diaz, O. Contreras and O.A. Lopez, "Synthesis and optoelectronic characterization of gallium doped zinc oxide transparent electrodes", Thin Solid Films , 288, pp. 29, 1996.
T. Sasabayashi, N. Ito, E. Nishimura, M. Kon, P. K. Song, K. Utsumi, A. Kaijo, and Y. Shigesato, "Comparative study on structure and internal stress in tin-doped indium oxide and indium-zinc oxide films deposited by r.f. magnetron sputtering," Thin Solid Films, 445, pp. 219, 2003.
T. Moriga, M. Mikawa, Y. Sakakibara, Y. Misaki, K. I. Murai, I. Nakabayashi, K. Tominaga, and J. B. Metson, "Effects of introduction of argon on structural and transparent conducting properties of ZnO- $In_{2}O_{3}$ thin films prepared by pulsed laser deposition", Thin Solid Films, 486, pp. 53, 2005.
F. K. Shan and Y. S. Yu, "Band gap energy of pure and Al-doped ZnO thin films", J. European Ceram. Soc., 24, pp. 1869, 2004.
J. Hu and R. G. Gordon, "Textured aluminum-doped zinc oxide thin films from atmospheric pressure chemical-vapor deposition", J. Appl. Phys., 71, pp. 880, 1992.
X. Jiang, F. L. Wong, M. K. Fung, and S. T. Lee, "Aluminum-doped zinc oxide films as transparent conductive electrode for organic light-emitting devices", Appl. Phys. Lett., 83, pp. 1875, 2002.
Y. Choi, "Growth and Preferred Orientation of ITO Thin Film Deposited by D.C. Magnetron Sputtering", J. Kor. Inst. Met. & Mater., 45, pp. 559-586, 2007.
H. Ko, W. P. Tai, K. C. Kim, S. H. Kim, S. J. Suh, and Y. S. Kim, "Growth of Al-doped ZnO thin films by pulsed DC magnetron sputtering," J. Cryst. Growth, 277, pp. 352,2005.
C. H. Jonda, A. B. R. Mayer, and U. Stolz, "Surface roughness effects and their influence on the degradation of organic light emitting devices," J. Mat. Sci., 35, pp. 5645. 2000
B. Y. Oh, M. C. Jeong, W. Lee, and J. M. Myoung, "Properties of transparent conductivw ZnO:Al films prepared by co-sputtering," J. Cryst. Growth, 274, pp. 453, 2005.
X. T. Hao, L. W. Tan, K. S. Ong, and F. Zhu, "High-performance low-temperature transparent conducting aluminum doped ZnO thin films and applications," J. Cryst. Growth, 287, pp. 44, 2006.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.