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ITO 박막의 표면 거칠기에 따른 OLED 소자의 특성
Effect of the Surface Roughness of ITO Thin Films on the Characteristics of OLED Device 원문보기

반도체및디스플레이장비학회지 = Journal of the semiconductor & display equipment technology, v.8 no.4, 2009년, pp.49 - 52  

이봉근 (한국기술교육대학교 신소재공학과) ,  이규만 (한국기술교육대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have investigated the effect of the surface roughness of TCO substrate on the characteristics of OLED (organic light emitting diodes) devices. In order to control the surface roughness of ITO thin films, we have processed photolithography and reactive ion etching. The micro-size patterned mask wa...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 ITO 박막의 표면거칠기에 따라서 OLED 소자의 전기적 및 광학적 특성이 어떠한 영향을 받는지를 조사하였다. 표면 거칠기를 인위적으로 조절하기 위하여 반도체 공정인 노광 및 에칭 공정을 이용하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
마그네트론 스퍼터링으로 증착된 ITO 박막의 장점은 무엇인가? 특히 ITO 박막은 OLED 디바이스의 양극(anode) 용 투명전극 재료로서 사용되어 ITO 박막에 대한 연구가 활발히 진행중이다[2-3]. 이러한 ITO 박막 의 증착 방법으로는 thermal evaporation, magnetron sputtering, electron beam sputtering, chemical vapor deposition(CVD) 등이 있으며 이들 방법 중 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 ITO 박막은 높은 전기전도성과 함께 상용화를 위한 대면적 증착이 가능하고 균일도가 우수하여 가장 보편적으로 사용되어지고 있는 방법이다[4-6]. 
ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 어떤 특성을 가지고 있는가? ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 n-type의 전도 특성을 갖는 산화물 반도체로서 넓은 밴드갭과 함께 가시광 영역에서의 높은 투과율과 전기 전도성을 나타내기 때문에 박막형 디스플레이 분야에 널리 사용되어지고 있다[1]. 특히 ITO 박막은 OLED 디바이스의 양극(anode) 용 투명전극 재료로서 사용되어 ITO 박막에 대한 연구가 활발히 진행중이다[2-3].
ITO 박막의 표면 거칠기가 커질수록 OLED 소자의 수명이 짧아지는 이유는 무엇인가? 4) ITO 박막의 표면 거칠기가 거칠수록 OLED 소자의 수명이 짧아진다. 이는 표면 거칠기가 커짐으로 인하여 그 위에 증착되는 유기물 및 음극 물질의 열악한 step coverage 때문으로 판단된다.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (9)

  1. B. J. Choi and K. W. Kim, “Fabrication and Characteristics 

  2. Y. H. Tak, K. B. Kim, H. G. Park, K. H. Lee, and J. R. 

  3. S. C. Gong, I. J. Back, J. H. Yoo, H. S. Shin, G. K. 

  4. K. H. Cho, Y. J. Kim, S. J. Kim, K. M. Moon, and 

  5. Y. G. Han, J. S. Cho, S. K. Koh and D. H. Kim, “The 

  6. H. M. Kim, and J. J. Kim, “Heat Treatment Effects 

  7. D. S. Kim, Y. K. Jang, and Y.S Kwan, “Study on 

  8. C. H. Jonda, A. B. R. Mayer, and U. Stolz, “Surface 

  9. F. Zhu, K. Zhang, B. L. Low, S. F. Lim, and S. J. Chua. 

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