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NTIS 바로가기韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.22 no.11, 2011년, pp.1034 - 1046
정해창 (충남대학교 전파공학과) , 오현석 (충남대학교 전파공학과) , 염경환 (충남대학교 전파공학과) , 진형석 (LIG넥스원) , 박종설 ((주)유텔 기술연구소) , 장호기 ((주)유텔 기술연구소) , 김보균 ((주)유텔 기술연구소)
In this paper, a design and fabrication of 40 W power amplifier for the X-band using load-pull measurement of GaN HEMT chip are presented. The adopted active device for power amplifier is GaN HEMT chip of TriQuint company, which is recently released. Pre-matched fixtures are designed in test jig, be...
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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과거 레이더 시스템은 출력을 얻기위해 무엇을 사용했나? | 과거 레이더 시스템은 큰 출력을 얻기 위하여 진공관 형태의 전력증폭기(PA: Power Amplifier)가 주로 사용되었다. 최근 이를 대체 가능한 능동형 위상 배열 레이더가 연구되고 있으며, 이는 다수의 송수신 모듈(transmit receive module)로 구성되며, 이의 소형화를 위하여 반도체 소자를 이용한 전력증폭기에대한 연구가 활발히 진행되고 있다. | |
GaN HEMT의 장점은? | 최근 이를 대체 가능한 능동형 위상 배열 레이더가 연구되고 있으며, 이는 다수의 송수신 모듈(transmit receive module)로 구성되며, 이의 소형화를 위하여 반도체 소자를 이용한 전력증폭기에대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 최근 출현한 GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 기존의 LDMOS 소자보다 주파수 특성이 우수하고, GaAs보다 전력 특성이 우수하여, X-대역의 레이더 시스템에 적용하기에 적합한 소자로 기대되며, 이를 이용한 고출력 전력증폭기의 개발이 활발히 이루어지고 있다. 그러나 국내에서는 50~200 W의 높은 출력 전력을 얻기 위해서 내부 정합된 전력증폭기(internally matched PA)를 이용하고 있다. | |
능동 소자의 출력 전력이 커짐에 따라 발생하는 문제를 극복하는 방법은? | 그러나 능동 소자의 출력 전력이 커질수록 이의 최적 임피던스는 1Ω 수준으로 작아져, 이를 기존의 로드-풀 시스템으로 측정하기 어렵게 된다. 최근에는 이를 극복하는 방법이 이슈가 되어, 사전-정합 회로를 이용한 방법이나 능동 로드-풀 시스템이 연구되고 있다[7]. 로드-풀은 소자의 비선형 모델을 통한 소프트웨어적으로 로드-풀 시뮬레이션 방법이 있으나, 비선형 모델이 없거나 정확도가 불분명할 경우, 소자를 직접 로드-풀 측정하게 된다. |
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