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전기의 세계 = The proceedings of KIEE, v.60 no.1, 2011년, pp.34 - 39
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 소자의 미세화에 따른 디램과 낸드플래시의 정전용량 변화는? | 두가지 메모리 소자는 각각 메인 메모리와 스토리지 메모리의 역할을 담당하고, 물리적으로는 전하의 저장을 통하여 유기된 포텐셜의 변화를 읽는다는 공통점이 있다. 소자의 미세화에 따라서 디램은 전하저장소 (storage node)의 정전용량(capacitance) 이 크게 변하지 않는 반면, 낸드플래시는 전하저장소의 정전용량이 선폭의 제곱 (즉, 소자의 면적)에 비례하여 감소하게 된다. 그리고, 전하의 단위는 전자이며, 기본 전하량 (1. | |
| 메모리 소자의 미세화에 존재하는 근본적인 장벽은 무엇인가? | 하지만, 메모리 소자의 경우에는 또 하나의 근본적인 장벽이 존재한다. 그것은 전하의 크기가 전자 한 개가 가진 전하의 정수배라는 사실 때문에 발생하는 것이다. | |
| 디램 (DRAM) 과 낸드플래시의 공통점은? | 현재 우리가 사용하고 있는 반도체 메모리의 주류는 디램 (DRAM) 과 낸드플래시이다. 두가지 메모리 소자는 각각 메인 메모리와 스토리지 메모리의 역할을 담당하고, 물리적으로는 전하의 저장을 통하여 유기된 포텐셜의 변화를 읽는다는 공통점이 있다. 소자의 미세화에 따라서 디램은 전하저장소 (storage node)의 정전용량(capacitance) 이 크게 변하지 않는 반면, 낸드플래시는 전하저장소의 정전용량이 선폭의 제곱 (즉, 소자의 면적)에 비례하여 감소하게 된다. |
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