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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| DRAM의 성능향상을 위해 필요한 기술 및 새로 도입되는 기술은 무엇인가? | DRAM의 성능향상을 위해 1차적으로는 트랜지스터의 Scaling-down과 얇은 Tox(gate oxide) 기술이 필요하고 커패시터의 유효면적, 유전물질(기존보다 고유전 박막)을 향상시키기 위한 기술 개발이 진행중이다. 트랜지스터의 물리적 크기(gate length)는 DPT, QPT, EUV 등을 통해 축소가 가능할 것으로 전망되나, Tox의 scaling-down이 어려워지면서 보다 큰 트랜지스터의 성능을 얻기 위해 로직기술(HKMG)이 도입되고 있다. 또한, 높은 유전율을 가지는 물질의 경우 대부분 작은 밴드갭에서 기인하는 높은 누설 전류의 단점을 가지고 있어 적절한 물질의 선택 및 그 물질에 적합한 새로운 전극 물질의 개발 등이 진행중에 있다. | |
| DRAM의 장점은? | DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 빠른 속도 및 높은 집적도 구현이 가능한 메모리로 각종 전자기기의 주메모리로 사용되고 있다. DARM의 cell은 트랜지스터 하나와 커패시터 하나로 구성되는데, 트랜지스터는 DRAM cell 어레이에서 특정 cell을 읽거나 쓸 수 있도록 선택하는 역할을 수행하며, 커패시터는 전하를 저장하여 ‘0’과 ‘1’의 데이터를 기록하는 역할을 하고 있다. | |
| 트랜지스터의 유전율은 DRAM의 성능향상에 어떤 영향을 미치는가? | 트랜지스터의 물리적 크기(gate length)는 DPT, QPT, EUV 등을 통해 축소가 가능할 것으로 전망되나, Tox의 scaling-down이 어려워지면서 보다 큰 트랜지스터의 성능을 얻기 위해 로직기술(HKMG)이 도입되고 있다. 또한, 높은 유전율을 가지는 물질의 경우 대부분 작은 밴드갭에서 기인하는 높은 누설 전류의 단점을 가지고 있어 적절한 물질의 선택 및 그 물질에 적합한 새로운 전극 물질의 개발 등이 진행중에 있다. |
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