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Dielectrophoresis 방법으로 제작한 Si 나노선과 ZnO 나노입자 필름 기반 p-n 이종접합 다이오드
A p-n Heterojunction Diode Constructed with A p-Si Nanowire and An n-ZnO Nanoparticle Thin-Film by Dielectrophoresis 원문보기

전기학회논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers, v.60 no.1, 2011년, pp.105 - 108  

김광은 (고려대학교 전기전자전파공학과) ,  이명원 (고려대학교 전자전기공학과) ,  윤정권 (고려대학교 전자전기공학과) ,  김상식 (고려대학교 전기전자전파공학과)

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Newly-developed fabrication of a p-n heterojunction diode constructed with a p-Si nanowire (NW) and an n-ZnO nanoparticle (NP) thin-film by the dielectrophoresis (DEP) technique is demonstrated in this study. With the bias of 20 Vp-p at the input frequency of 1 MHz, the most efficient assembly of th...

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  • In this paper, newly-developed fabrication process of a p-n heterojunction diode constructed with a p-Si NW and an n-ZnO NP thin-film is demonstrated and its electrical characteristics are investigated. The n-ZnO NPs are assembled by the DEP technique to form the hybrid p-n diode with a p-Si NW.
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참고문헌 (10)

  1. H. Seong, K. Cho, and S. Kim, "A pn heterojunction diode constructed with a n-type ZnO nanowire and a p-type HgTe nanoparticle thin film", Appl. Phys. Lett., vol. 94, pp. 043102, Jan. 2009. 

  2. H. Seong, J. Yun, J. H. Jun, K. Cho, and S. Kim, "The transfer of charge carriers photogenerated in ZnO nanoparticles into a single ZnO nanowire", nanotechnology, vol 20, pp. 245201, May. 2009. 

  3. S. Kumar, Y. Seo, and G. Kim, "Manipulation and trapping of semiconducting ZnO nanoparticles into nanogap electrodes by dielectrophoresis technique", Appl. Phys. Lett., vol. 94, pp. 153104, Apr. 2009. 

  4. H. Zhu, B. Zhang, X. Li, X. Dong, W. Li, H. Guan, Y. Cui, X. Xia, T. Yang, Y. Chang, and G. Du, "Green electroluminescence from ZnO/n-InP heterostructure fabricated by metalorganic chemical vapour deposition", J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 40, pp. 5080, Aug. 2007. 

  5. R. J. Barsotti, Jr., M. D. Vahey, R. Wartena, Y. Chiang, J. Voldman, and F. Stellacci, "Assembly of metal nanoparticles into nanogaps", Small, vol. 3, pp. 488, Mar. 2007. 

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  7. E. M. Freer, O. Grachev, X. Duan, S. Martin, and D. P. Stumbo, "High-yield self-limiting single-nanowire assembly with dielectrophoresis", Nat. Nanotechnol. vol. 5, pp. 525, Jun. 2010. 

  8. J. Suehiro, N. Nakagawa, S. Hidaka, M. Ueda, K. Imasaka, M. Higashihata, T. Okada, and M. Hara, "Dielectrophoretic fabrication and characterization of a ZnO nanowire-based UV photosensor", Nanotechnology, vol. 17, pp. 2567, May. 2006. 

  9. T. H. Kim, S. Y. Lee, N. K. Cho, H. K. Seong, H. J. Choi, S. W. Jung, and S. K. Lee, "Dielectrophoretic alignment of gallium nitride nanowires (GaN NWs) for use in device applications", Nanotechnology, vol. 17, pp. 3394, Jul. 2006. 

  10. J. H. Jun, B. Park, K. Cho, and S. Kim, "Flexible TFTs based on solution-processed ZnO nanoparticles", Nanotechnology, vol. 20, pp. 505201, Nov. 2009. 

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