최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.1, 2011년, pp.17 - 21
신운기 (부산대학교 기계공학부) , 박선준 (부산대학교 기계공학부) , 이현섭 (부산대학교 기계공학부) , 정문기 (부산대학교 기계공학부) , 이영균 (부산대학교 기계공학부) , 이호준 (부산대학교 기계공학부) , 김영민 (부산대학교 기계공학부) , 조한철 (노스이스턴 대학교, 나노 스케일 연구센터) , 주석배 (텍사스 A&M 대학교 기계공학부) , 정해도 (부산대학교 기계공학부)
Copper (Cu) had been attractive material due to its superior properties comparing to other metals such as aluminum or tungsten and considered as the best metal which can replace them as an interconnect metal in integrated circuits. CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology enabled the productio...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
Cu-CMP의 경우 잔류 Cu오염을 제거하는 것이 아주 중요한 이유는? | CMP 공정 중에 공급되는 슬러리에는 부식액, pH 적정제, 연마입자 등이 첨가되며 이러한 오염물질은 세정공정을 통해 제거되지 않으면 추후 공정에 지속적으로 영향을 미치므로 전체 공정의 수율을 감소시키는 문제점이 될 수 있다 [2]. Cu-CMP의 경우 Cu확산에 의한 디바이스 특성열화를 방지하기 때문에 특히 잔류 Cu오염을 제거하는 것이 아주 중요하고, 세정액에 의한 Cu-배선의 에칭이나 부식발생 등의 악영향이 있어서는 안 된다. 종래의 RCA 세정은 기판의 에칭을 통해 입자를 제거하는 세정법으로 세정공정에서 동반되는 기판의 손실이 크고, 다량의 화학액의 사용으로 인하여 환경오염을 일으키는 단점이 있다. | |
PVA브러쉬 세정법이란? | 종래의 RCA 세정은 기판의 에칭을 통해 입자를 제거하는 세정법으로 세정공정에서 동반되는 기판의 손실이 크고, 다량의 화학액의 사용으로 인하여 환경오염을 일으키는 단점이 있다. 따라서 화학액의 사용을 최소화하는 대표적인 기계적 세정법인 PVA브러쉬 세정이 널리 사용되고 있으며 [3], PVA브러쉬 세정법은 폴리우레탄 재질의 PVA 브러쉬를 회전시키면서 웨이퍼의 표면에 마찰을 일으켜 직접적인 마찰이나, 세정액의 유체역학적 끌림힘을 이용하여 웨이퍼 표면의 오염을 제거하는 방법이다 [4]. 하지만 이러한 세정법은 브러쉬를 이용한 세정라인이 추가되어야 하고, 그에 따른 공정 시간의 증가가 발생한다. | |
2단계 화학기계적 평탄화 공정 시 발생하는 문제는? | 이러한 구리 배선은 전기도금과 이중 다마신 (dual damascene)공정으로 진행되고, 구리 배선의 평탄화를 위하여 2단계 화학기계적 평탄화(chemical mechanical planarization, CMP)가 사용되고 있다. 이러한 CMP 공정 후에는 화학적 또는 물리적 상호작용에 의해 웨이퍼 표면에 오염물이 부착될 수 있다. CMP 공정 중에 공급되는 슬러리에는 부식액, pH 적정제, 연마입자 등이 첨가되며 이러한 오염물질은 세정공정을 통해 제거되지 않으면 추후 공정에 지속적으로 영향을 미치므로 전체 공정의 수율을 감소시키는 문제점이 될 수 있다 [2]. Cu-CMP의 경우 Cu확산에 의한 디바이스 특성열화를 방지하기 때문에 특히 잔류 Cu오염을 제거하는 것이 아주 중요하고, 세정액에 의한 Cu-배선의 에칭이나 부식발생 등의 악영향이 있어서는 안 된다. |
Y. K. Hong, D. H. Eom, S. H. Lee, T. G. Kim, J. G. Park, and A. A. Busnaina, J. of the Electrochem. Soc., 151, 756 (2004).
S. Wolf, and R. N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era, 2nd ed. (Sunset Beach, Calif. Lattice Press, 2000).
A. A. Busnaina, H. Lin, N. Moumen, J. W. Feng, and J. Taylor, IEEE Transaction on Semiconductor Manufacturing, 15, 374-382 (2002).
H. C. Cho, and M. D. Thesis, p. 12-26, Pusan National University, Busan (2009).
H. D. Jeong, H. J. Kim, S. H. Lee, and D. Dornfeld, Annals of the CIRP, 55, 325-328 (2006).
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.