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캐비티 재질이 마이크로파 유전체 공진기의 Q값 측정에 미치는 영향
Effect of Cavity Material on the Q-Factor Measurement of Microwave Dielectric Materials 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.18 no.3, 2011년, pp.39 - 43  

박재환 (충주대학교 전자공학과) ,  박재관 (한국과학기술연구원 나노포토닉스연구센터)

초록
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마이크로파 유전체의 Q 값 측정에 널리 사용되고 있는 유전체 공진기 방법에서 캐비티의 재질변화가 유전체의 Q 값 측정에 미치는 오차요인에 대해 HFSS 시뮬레이션과 실측평가를 병행하여 조사하였다. HFSS의 전자계 벡터 형상으로부터 $TE_{01\delta}$ 모드의 공진주파수를 결정하고 $S_{21}$ 파라메터의 3dB 대역폭으로부터 Q 값을 계산하였다. 캐비티 금속이 Cu, SUS, Au 등으로 변화할 경우 유전체 공진기의 Q 값 측정에 큰 오차는 발생하지 않았으나, 금속이 산화하여 전도도가 수 천 정도로 떨어질 경우 Q 값이 매우 낮게 측정되는 오차가 발생함을 확인하였다. 이러한 시뮬레이션 결과는 실제로 다양한 재질의 금속 캐비티를 가지고 유전체 공진기의 Q 값을 측정해 본 결과 서로 일치되는 관련성을 나타내었다.

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Effects of cavity material on the Q-factor measurement of microwave dielectric materials were studied by HFSS simulation and the measurements using metal cavity. $TE_{01\delta}$ mode resonant frequency was determined from the electric and magnetic field patterns and the loaded Q-factor wa...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 마이크로파 유전체의 Q 값 측정에 널리 사용되고 있는 유전체 공진기 방법에서 캐비티의 재질변화가 유전체의 Q 값 측정에 미치는 오차요인에 대해 살펴 보았다. 캐비티 금속의 전도도가 106 Ω-1m-1 이상인 Cu, SUS, Au 등 어떤 금속도 유전체 공진기의 Q 값 측정에 큰 영향은 미치지 않는 것으로 계산되었다.
  • 실제 각 연구실과 생산현장에서 유전체 캐비티 방법으로 유전체의 품질계수를 측정할 때 사용하는 기구물에서 금속 캐비티의 재질은 통상 구리(Cu) 또는 스테인레스 스틸(SUS) 등이 많이 사용되며 간혹 금(Au)을 표면에 코팅한 구리 캐비티를 사용하기도 한다. 본 연구에서는 3D 전자계 시뮬레이션 소프트웨어인 HFSS를 사용하여 유전체 캐비티 방법에서 금속 캐비티의 재질변화가 유전체의 품질계수 측정에 어떠한 영향을 미치는지 살펴보고 실제 다양한 캐비티 재질에 의해 측정된 실측 데이터와 비교하여 분석하고자 한다. 특히 구리 캐비티를 장시간 사용할때 발생하는 구리 표면의 산화에 의해 품질계수 측정에 어떠한 오차가 발생하는지를 검토하고자 한다.
  • 본 연구에서는 3D 전자계 시뮬레이션 소프트웨어인 HFSS를 사용하여 유전체 캐비티 방법에서 금속 캐비티의 재질변화가 유전체의 품질계수 측정에 어떠한 영향을 미치는지 살펴보고 실제 다양한 캐비티 재질에 의해 측정된 실측 데이터와 비교하여 분석하고자 한다. 특히 구리 캐비티를 장시간 사용할때 발생하는 구리 표면의 산화에 의해 품질계수 측정에 어떠한 오차가 발생하는지를 검토하고자 한다.

가설 설정

  • 따라서 본 연구에서는 Cu 캐비티가 산화하여 CuO 재질로 변화되었다고 가정하고 그 전도도는 도체 중에서 낮은 수준인 1000 Ω-1m-1으로 설정하여 시뮬레이션을 수행하였다.
  • 한편, 구리 캐비티가 산화될 경우 표면의 조성은 구리 산화물이 되는데 이를 CuO라고 가정하고 전도도를 구리에 비해 1/10,000 이하로 낮아진 1000 Ω-1 m-1로 가정하여 입력해 주었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
마이크로파 유전체는 대부분 어떻게 제조되는가? 마이크로파 유전체의 비유전율과 Q 값은 유전체의 거시적 조성 뿐 아니라 미세구조와 미시적 조성변동 등 다양한 인자에 의해 크게 변화되게 된다. 마이크로파 유전체는 대부분 산화물 형태의 원료분말을 혼합하여 고상소결 방법으로 제조되게 되므로 소성한 이후에는 국부적인 조성변동 및 기공, 결함 및 입계 면이 존재하는 세라믹스 특유의 미세구조를 갖게 된다. 이러한 비균질성은 마이크로파 유전체의 품질계수를 떨어뜨리는 역할을 하게 된다.
마이크로파 대역에서 유전재료의 유전특성을 측정하는 방법으로 무엇이 있는가? 마이크로파 대역에서 유전재료의 유전특성을 측정하는 방법으로는 평행판 방법(Hakki-Coleman method), 유전체 캐비티 공진법, 공진기 섭동법, Febry-Perot 방법 등다양한 방법이 있다.3, 5~6) 이 중에서 평행판 방법은 마이크로파 유전체의 유전율을 결정하는데 유리한 방법이며, 유전체 캐비티 공진법은 Q 값을 측정하는데 유용한 방법이다.
마이크로파 유전체의 비유전율과 Q 값을 이미 알고 있더라도 실제 제작된 공진기의 유전특성을 실측을 통해서 알아봐야 하는 이유는 무엇인가? 통상 마이크로파 유전체의 경우 비유전율 3~100 정도이고 unloaded Q 값은 수 백 ~ 수 만에 이르는 값을 나타낸다. 마이크로파 유전체의 비유전율과 Q 값은 유전체의 거시적 조성 뿐 아니라 미세구조와 미시적 조성변동 등 다양한 인자에 의해 크게 변화되게 된다. 마이크로파 유전체는 대부분 산화물 형태의 원료분말을 혼합하여 고상소결 방법으로 제조되게 되므로 소성한 이후에는 국부적인 조성변동 및 기공, 결함 및 입계 면이 존재하는 세라믹스 특유의 미세구조를 갖게 된다. 이러한 비균질성은 마이크로파 유전체의 품질계수를 떨어뜨리는 역할을 하게 된다. 예컨대 TiO2 유전체의 경우 기공율이 10% 증가할 때마다 마이크로파 품질계수는 대략 절반 정도로 줄어드는 것으로 보고된 바 있다.4) 그러므로 특정한 마이크로파 유전체의 비유전율과 Q 값이 알려져 있다 해도, 실제 제작된 공진기의 유전특성은 실측을 통하여 확인하여야 한다.
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참고문헌 (9)

  1. J. R. Yoon, S. W Lee and H. Y. Lee, "The Microwave Dielectric Properties of MgTiO-CaTiO Ceramics Dielectrics and Fabrication of GPS Antenna", J. Microelectron. Packag. Soc., 10(1), 51 (2003). 

  2. J. H. Park and J. G. Park, "Low-temperature Sintering and Microwave Properties in ( $Ba_{0.5}Pb_{0.5}$ ) $Nd_2Ti_5O_{14} $ Ceramics", J. Microelectron. Packag. Soc., 8(2), 9 (2001). 

  3. D. Kajfez and P. Guillon, Dielectric Resonators, Artech House, Inc. (1986). 

  4. A. Templeton, X. Wang, S. J. Penn, S. J. Webb, L. F. Cohen and N. M. Alford, "Microwave Dielectric Loss of Titanium Oxide", J. Am. Ceram. Soc, 83, 95 (2000). 

  5. B. W. Hakki and P. D. Coleman, "A Dielectric Resonator Method of Measuring Inductive Capacities in the Milimeter Range", IRE Trans., MTT-8, 402 (1960). 

  6. Matthew N. O. Sadiku, Numerical Techniques in Electromagnetics, CRC Press (1992). 

  7. HFSS V. 6.0 user's manual, Ansoft (1999). 

  8. V. P. Zhune and B. V. Kurchatov, "The Electrical Conductivity of Copper Oxide", Physik. Z. Sowjetunion, 2, 354 (1932). 

  9. A.A. Ogwu, T.H. Darma and E. Bouquerel, "Electrical resistivity of copper oxide thin films prepared by reactive magnetron sputtering", J. of Achievements in Meterials and Manufacturing, 24, 172 (2007). 

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