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[국내논문] Dependency of Tunneling Field-Effect Transistor(TFET) Characteristics on Operation Regions 원문보기

Journal of semiconductor technology and science, v.11 no.4, 2011년, pp.287 - 294  

Lee, Min-Jin (Department of Electronic Engineering, R821A, Sogang University) ,  Choi, Woo-Young (Department of Electronic Engineering, R821A, Sogang University)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, two competing mechanisms determining drain current of tunneling field-effect transistors (TFETs) have been investigated such as band-to-band tunneling and drift. Based on the results, the characteristics of TFETs have been discussed in the tunneling-dominant and drift-dominant region....

Keyword

#Tunneling field-effect transistor   #band-to-band tunneling   #drift   #tunnel resistance   #channel resistance  

AI 본문요약
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문제 정의

  • In this paper, we have adjusted RTUN and RCH by performing device simulation in order to investigate the electrical characteristics of tunneling-dominant and driftdominant TFETs. This paper consists of two parts.

가설 설정

  • Because WTUN is nearly saturated at VOV = 1 V as shown in Fig. 8(a), WTUN shows little change with the variation of VTUN. Thus, ΔRTUN is 1% and it confirms the validity of the proposed extraction method.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (14)

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